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消息稱三星明年推出三重堆疊技術(shù)的第10代NAND

普及100TB SSD 最高430層
2024-04-28
來源:IT之家

4 月 28 日消息,,三星半導(dǎo)體日前宣布量產(chǎn)第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品,,位密度(bit density)比上一代產(chǎn)品提高約 50%,通過通道孔蝕刻技術(shù)(channel hole etching)提高生產(chǎn)效率,。

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第九代 V-NAND 采用雙重堆疊技術(shù),在旗艦 V8 閃存的 236 層基礎(chǔ)上,,再次達(dá)到了 290 層,,主要面向大型企業(yè)服務(wù)器以及人工智能和云設(shè)備。

而業(yè)內(nèi)消息稱三星計(jì)劃明年推出第 10 代 NAND 芯片,,采用三重堆疊技術(shù),,達(dá)到 430 層,進(jìn)一步提高 NAND 的密度,,并鞏固和擴(kuò)大其領(lǐng)先優(yōu)勢,。

市場研究公司 Omdia 預(yù)計(jì),NAND 閃存市場在 2023 年下降 37.7% 后,,預(yù)計(jì)今年將增長 38.1%,。為了在快速增長的市場中占據(jù)一席之地,三星誓言要大力投資 NAND 業(yè)務(wù),。

此前三星高管表示,,該公司的目標(biāo)是到 2030 年開發(fā)超過 1000 層的 NAND 芯片,以實(shí)現(xiàn)更高的密度和存儲(chǔ)能力,。


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