5月9日消息,，今天,，國家信息光電子創(chuàng)新中心宣布,，和鵬城實驗室的光電融合聯(lián)合團隊完成了2Tb/s硅光互連芯粒（chiplet）的研制和功能驗證,。

這也是在國內(nèi)首次驗證了3D硅基光電芯粒架構(gòu),，實現(xiàn)了單片最高達8×256Gb/s的單向互連帶寬,。

發(fā)射芯粒

據(jù)介紹,，團隊在2021年1.6T硅光互連芯片的基礎上,，進一步突破了光電協(xié)同設計仿真方法,，研制出硅光配套的單路超200G driver和TIA芯片,。

同時還攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù),，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

接收芯粒

經(jīng)系統(tǒng)傳輸測試,，8個通道在下一代光模塊標準的224Gb/s PAM4光信號速率下,，TDECQ均在2dB以內(nèi)。

通過進一步鏈路均衡,，最高可支持速率達8×256Gb/s,，單片單向互連帶寬高達2Tb/s。

硅光互連芯粒的側(cè)向顯微鏡結(jié)構(gòu)

目前在芯片技術(shù)的發(fā)展過程中,，隨著芯片制程的逐步縮小,，互連線引起的各種效應成為影響芯片性能的重要因素。

而硅光子技術(shù)可以將電換成傳輸速度更快的光,，實現(xiàn)更快的傳輸速率,、更遠的傳輸距離以及更低的功耗和延遲。

華為,、臺積電,、英特爾、IBM,、Oracle等巨頭都在推進硅光的產(chǎn)業(yè)化,，未來可能會成為一個像集成電路那樣大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。