5 月 21 日消息，據(jù) DigiTimes,，臺積電宣布開始利用其 InFO_SoW 技術(shù)生產(chǎn)特斯拉 Dojo AI 訓(xùn)練模塊,，目標(biāo)是到 2027 年通過更復(fù)雜的晶圓級系統(tǒng)將計(jì)算能力提高 40 倍。

▲ 圖源：特斯拉

InFO_SoW（整合型扇出晶圓級系統(tǒng)封裝）是“InFO”技術(shù)應(yīng)用于高性能計(jì)算機(jī)的一種改良模式,，也是一種晶圓級（Wafer Scale）的超大型封裝技術(shù),，主要包括晶圓狀的放熱模組（Plate）、硅芯片（Silicon Die）群,、InFO RDL,、電源模組、連接器等部分,。

InFO_SoW 在模組（尺寸和晶圓大小相近）上橫向排列多個硅芯片（Silicon Die,，或者 Chip），再通過“InFO”結(jié)構(gòu)使芯片和輸入 / 輸出端子相互連接,，從而區(qū)別于堆疊了兩個“InFO”的“InFO_SoIS（System on Integrated Substrate）”技術(shù),。

一般來說，InFO_SoW 技術(shù)生產(chǎn)的芯片面積較大,，它可以將大規(guī)模系統(tǒng)（由大量的硅芯片組成）集成于直徑為 300mm 左右的圓板狀模組（晶圓狀的模組）上,；而通過采用 InFO 技術(shù)，它又可以獲得相比傳統(tǒng)的模組相更小型,、更高密度的集成系統(tǒng),。

在臺積電之前公布的資料中，InFO_SoW 相比于采用倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)的 Multi-chip-module（MCM）和“InFO_SoW”更有優(yōu)勢,。IT之家查詢發(fā)現(xiàn),，與 MCM 相比，其相互連接的排線寬度,、間隔縮短了二分之一,，排線密度提高了兩倍。此外,，其單位面積的數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了兩倍,；電源供給網(wǎng)絡(luò)（PDN）的阻抗（Impedance）明顯低于 MCM，僅為 MCM 的 3%。