據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算,市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng),,加上HBM利潤(rùn)高,,故三星、SK海力士及美光國(guó)際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片,,預(yù)計(jì)到今年底前,HBM將占先進(jìn)制程比例為35%,,其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(x)與DDR5產(chǎn)品,。
以HBM最新進(jìn)展來(lái)看,,TrendForce表示,,今年HBM3e是市場(chǎng)主流,,集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應(yīng)商,,與美光均采用1β nm制程,兩家廠商已出貨英偉達(dá),;三星則采用1α nm制程,第二季度完成驗(yàn)證,,年中交貨,。
除了HBM需求占比持續(xù)增加,PC,、服務(wù)器,、智能手機(jī)三大應(yīng)用單機(jī)搭載容量增長(zhǎng),故先進(jìn)制程消耗量逐季提升。英特爾Sapphire Rapids,、AMD Genoa新平臺(tái)量產(chǎn)后,,存儲(chǔ)規(guī)格僅能用DDR5,今年DDR5滲透率至年底將超過(guò)50%,。
新廠方面,,三星廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載,新廠房P4L計(jì)劃2025年完工,,Line 15廠區(qū)制程轉(zhuǎn)換,,1Y nm轉(zhuǎn)至1β nm以上;SK海力士除了M16明年產(chǎn)能擴(kuò)大,,M15X亦規(guī)劃2025年完工,,年底量產(chǎn);美光中國(guó)臺(tái)灣廠區(qū)明年恢復(fù)滿載,,后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張以美國(guó)廠為主,,Boise廠區(qū)2025年完工并陸續(xù)移機(jī),2026年量產(chǎn),。
TrendForce指出,,由于英偉達(dá)GB200將于2025年放量,其規(guī)格為HBM3e 192/384GB,,預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍,,且緊接各原廠將迎來(lái)HBM4研發(fā),若投資沒(méi)有明顯擴(kuò)大,,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)之下,,DRAM產(chǎn)品可能供應(yīng)不足。