據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce估算，市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長，加上HBM利潤高,，故三星,、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片，預(yù)計到今年底前,，HBM將占先進制程比例為35%,，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5（x）與DDR5產(chǎn)品。

以HBM最新進展來看,，TrendForce表示,，今年HBM3e是市場主流，集中下半年出貨,。SK海力士仍是主要供應(yīng)商,，與美光均采用1β nm制程，兩家廠商已出貨英偉達,；三星則采用1α nm制程,，第二季度完成驗證，年中交貨,。

除了HBM需求占比持續(xù)增加,，PC、服務(wù)器,、智能手機三大應(yīng)用單機搭載容量增長,，故先進制程消耗量逐季提升。英特爾Sapphire Rapids,、AMD Genoa新平臺量產(chǎn)后,，存儲規(guī)格僅能用DDR5，今年DDR5滲透率至年底將超過50%,。

新廠方面,，三星廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L計劃2025年完工,，Line 15廠區(qū)制程轉(zhuǎn)換,，1Y nm轉(zhuǎn)至1β nm以上；SK海力士除了M16明年產(chǎn)能擴大,，M15X亦規(guī)劃2025年完工,，年底量產(chǎn)；美光中國臺灣廠區(qū)明年恢復(fù)滿載,，后續(xù)產(chǎn)能擴張以美國廠為主,，Boise廠區(qū)2025年完工并陸續(xù)移機，2026年量產(chǎn),。

TrendForce指出,，由于英偉達GB200將于2025年放量,，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍,，且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā),，若投資沒有明顯擴大，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)之下,，DRAM產(chǎn)品可能供應(yīng)不足,。