5月21日消息，據(jù)媒體報(bào)道,，三星計(jì)劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達(dá)的芯片代工訂單,。

但最新報(bào)告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%,，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。

與此形成鮮明對比的是，臺積電的N3B工藝良率已接近55%,，這使得臺積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高,，這可能會削弱其在價格和性能方面與臺積電競爭的能力,。

三星電子晶圓代工部門已經(jīng)制定了“Nemo”計(jì)劃,，目標(biāo)是在2024年贏得英偉達(dá)的3nm芯片代工訂單。

然而,，目前三星代工部門尚未成立專門的組織來攻關(guān),，且良率問題仍是其面臨的主要難題。

業(yè)界分析人士指出,，三星電子預(yù)計(jì)將在2024年上半年開始量產(chǎn)第二代3nm GAA工藝,，這將是三星縮小與臺積電差距的關(guān)鍵。

為了提高良率,，三星晶圓代工部門正在全力以赴,，并開始不惜一切代價確保技術(shù)的成功。

韓國市場分析師認(rèn)為,，由于地震和地緣政治等不穩(wěn)定因素,，2024年可能是三星縮小與臺積電差距的最佳時機(jī)。