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三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試

“正改善質(zhì)量”
2024-05-27
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 HBM 英偉達(dá)

5月27日消息,,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片尚未通過英偉達(dá)測試,有“知情人士”表示,,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響,。

不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道,三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道,,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”,,同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”,。

三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品,。在目前已量產(chǎn)的 HBM3E上,三星并未像競爭對手SK海力士,、美光那樣采用1b nm制程DRAM裸片,,而是仍使用1a nm顆粒,在能耗方面處于劣勢,。加上本次出現(xiàn)的相關(guān)負(fù)面輿論,,這導(dǎo)致一些分析師懷疑三星“是否有能力從 SK海力士處迅速奪回市場份額”。


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