《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > 消息稱三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成

消息稱三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成

已就此成立專門工作組
2024-06-12
來源:IT之家
關鍵詞: 三星 DRAM 12nm

6 月 11 日消息,,韓媒 ZDNet Korea 今日表示,,三星 1b nm(12nm 級) DRAM 內存良率仍不足五成,。

這一數(shù)據(jù)遠低于 80~90% 的業(yè)界一般目標,,三星已于上月就此成立專門工作組應對,。

參考IT之家以往報道,,三星電子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 級 DDR5 內存開始量產(chǎn),,后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 級 32Gb DDR5 內存開發(fā)成功,。

0.png

▲ 三星電子 12nm 級 32Gb DDR5 內存

32Gb 的顆粒容量意味著三星可在不使用 TSV 工藝的情況下就能生產(chǎn) 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 內存條,。

相比采用 TSV 的 3DS DIMM 內存,,這種常規(guī)內存條功耗減少 10%,制造成本也顯著降低,。

因此,,12nm 級制程的 32Gb DDR5 內存顆粒被三星電子視為未來的主力產(chǎn)品。此番成立專門工作組旨在迅速提升良率,。

三星電子還決定積極擴大 12nm 級 DRAM 的產(chǎn)量,,未來華城 15 和平澤 P2 晶圓廠將成為這一產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。后者目前主要生產(chǎn) 1z nm 內存,,將進行工藝升級,。

三星電子計劃將 12nm 級 DRAM 的產(chǎn)能從目前的每月 4 萬片晶圓擴張到三季度的 7 萬片和四季度的 10 萬片,明年則將進一步提升至每月 20 萬片晶圓,。


Magazine.Subscription.jpg

本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者,。如涉及作品內容、版權和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。