6 月 24 日消息,,據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今日?qǐng)?bào)道,,繼獨(dú)家代工英偉達(dá)、AMD 等科技巨頭 AI 芯片之后,市場(chǎng)近日傳出臺(tái)積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子取得下世代 HBM4 關(guān)鍵的基礎(chǔ)界面芯片大單,。
法人指出,當(dāng)前 AI 需求強(qiáng)勁,高速運(yùn)算(HPC)與高帶寬內(nèi)存(HBM)相關(guān)需求已是炙手可熱,成為市場(chǎng)新商機(jī),,吸引三大內(nèi)存芯片廠(IT之家注:SK 海力士、三星,、美光)積極投入,。當(dāng)前,HBM3 / HBM3e 等 HBM 產(chǎn)能正處于供不應(yīng)求的盛況,。
現(xiàn)有 HBM3 / HBM3e 的容量和速度限制,,導(dǎo)致新一代 AI 芯片存在無法發(fā)揮最大算力的風(fēng)險(xiǎn)。三大廠均不約而同拉高資本支出,,開始投入下世代產(chǎn)品 HBM4 研發(fā),,目標(biāo) 2025 年底量產(chǎn),2026 年放量出貨,。
另一方面,,SK 海力士已宣布與臺(tái)積電沖刺 HBM4 及先進(jìn)封裝商機(jī),。業(yè)界指出,創(chuàng)意已經(jīng)拿下 SK 海力士在 HBM4 芯片委托設(shè)計(jì)案訂單,,預(yù)期最快明年設(shè)計(jì)定案,將依高性能或低功耗不同需求采用臺(tái)積電 12 納米及 5 納米工藝生產(chǎn),,預(yù)期下半年委托設(shè)計(jì)(NRE)開案將明顯貢獻(xiàn)營(yíng)收,,搶進(jìn) HBM 供應(yīng)鏈。