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美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM

計(jì)劃2025年大規(guī)模量產(chǎn)
2024-06-28
來(lái)源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 美光 1γDRAM EUV

美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月26日,,存儲(chǔ)芯片大廠美光科技在公布2024財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)的同時(shí),,也披露了美光正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產(chǎn)基于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的 1γ (1-gamma)DRAM ,,作為試生產(chǎn)計(jì)劃的一部分,,首批 1γ DRAM也將在那里制造,。

雖然三星和SK海力士早已經(jīng)將先進(jìn)的EUV光刻機(jī)引入到了它們的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的DRAM制造,,但是美光卻一直不急于使用EUV光刻技術(shù)來(lái)制造DRAM,,而是更多的通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)的 DUV 多圖案化,,在其 1α 和 1? 節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)了具有成本和性能競(jìng)爭(zhēng)力的 DRAM,。不過(guò),,今年美光已經(jīng)開(kāi)始在其更先進(jìn)的 1γ 制程DRAM的試產(chǎn)上引入了EUV光刻技術(shù),并且明年將會(huì)進(jìn)入大批量生產(chǎn)。

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美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在第三財(cái)季的與投資者和金融分析師的電話會(huì)議上表示,,雖然美光在EUV使用方面將略微落后于三星和SK海力士,,但其EUV結(jié)果看起來(lái)相當(dāng)有希望:“使用EUV光刻的 1γ DRAM試生產(chǎn)進(jìn)展順利,我們有望在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),?!?/p>

美光對(duì)其1γ DRAM工藝技術(shù)寄予厚望,并希望EUV技術(shù)的使用將使其能夠構(gòu)建業(yè)界最小的DRAM單元,,這將是其即將推出的存儲(chǔ)芯片的主要競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),,因?yàn)樗鼘⑹构灸軌驑?gòu)建業(yè)內(nèi)最便宜、更節(jié)能的DRAM芯片,。EUV技術(shù)將成為此類存儲(chǔ)單元的關(guān)鍵推動(dòng)因素,。至于將會(huì)對(duì)美光DRAM的性能和市場(chǎng)表現(xiàn)有多大的助力,還有待觀察,。

目前,,美光基于 EUV光刻的 1γ DRAM 制造工藝正在該公司位于日本廣島的工廠開(kāi)發(fā),作為試生產(chǎn)計(jì)劃的一部分,,第一批 1γ 存儲(chǔ)設(shè)備正在那里制造,。

在此之前,美光已經(jīng)試驗(yàn)了ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)一段時(shí)間了,。該公司一直在測(cè)試這些工具,,方法是將其 1α 和 1? 節(jié)點(diǎn)的一些 DUV光刻流程替換為 EUV光刻,并逐步調(diào)整它們以獲得適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)量,。到目前為止,,該公司已經(jīng)有足夠的經(jīng)驗(yàn)開(kāi)始準(zhǔn)備使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

Mehrotra曾在3月份表示:“我們繼續(xù)通過(guò)EUV提高我們的生產(chǎn)能力,,并在EUV和非EUV之間的1α和1?節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了同等的產(chǎn)量和質(zhì)量,。“我們已經(jīng)開(kāi)始使用EUV進(jìn)行1γ DRAM的試生產(chǎn),,并有望在2025年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),。”

值得一提的是,,美光去年就宣布計(jì)劃在斥資6,000至8,000億日日本廣島現(xiàn)有的Fab15工廠附近興建DRAM新廠,,預(yù)計(jì)2026年初動(dòng)工、最快2027年底前完成廠房建設(shè),、機(jī)臺(tái)設(shè)備安裝并投入營(yíng)運(yùn)。新廠初期規(guī)劃為DRAM晶圓廠,,未包含后段封裝及測(cè)試,,產(chǎn)能將著重于HBM產(chǎn)品。該工廠還將入EUV光刻設(shè)備,,生產(chǎn)先進(jìn)1-Gamma制程的DRAM,,后續(xù)也將導(dǎo)入1-Delta制程,。


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