2025 年 2 月 26 日，中國上海 —  美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品,。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節(jié)點的領(lǐng)先優(yōu)勢,，1γ DRAM 節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè),、消費應(yīng)用到端側(cè) AI 設(shè)備（如 AI PC,、智能手機和汽車）等未來計算平臺的創(chuàng)新發(fā)展。美光 1γ DRAM 節(jié)點將首先應(yīng)用于其 16Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品,，并計劃逐步整合至美光內(nèi)存產(chǎn)品組合中,，以滿足 AI 產(chǎn)業(yè)對高性能、高能效內(nèi)存解決方案日益增長的需求,。該款 16Gb DDR5 產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 9200MT/s,，與前代產(chǎn)品相比，速率提升高達(dá) 15%,，功耗降低超過 20%,。

　　1γ DRAM 節(jié)點的重要性

　　隨著 AI 在數(shù)據(jù)中心和端側(cè)設(shè)備的普及，用戶對內(nèi)存的需求達(dá)到了前所未有的高度,。美光邁向 1γ DRAM 節(jié)點,，將助力客戶應(yīng)對亟待解決的核心挑戰(zhàn)：

• 提升性能 — 基于 1γ 節(jié)點的 DRAM 性能卓越，能夠支持從數(shù)據(jù)中心到端側(cè)設(shè)備的多種內(nèi)存產(chǎn)品實現(xiàn)計算擴展,，滿足未來 AI 工作負(fù)載的需求,。

• 降低功耗 — 美光 1γ 節(jié)點采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，結(jié)合設(shè)計優(yōu)化,，功耗降低了20% 以上,，并實現(xiàn)更優(yōu)的散熱。

• 提升容量密度產(chǎn)出 — 美光 1γ 節(jié)點采用 EUV 光刻技術(shù),，通過設(shè)計優(yōu)化和制程創(chuàng)新,，使單片晶圓的容量密度產(chǎn)出較上一代提升 30% 以上，從而實現(xiàn)更高效的內(nèi)存供應(yīng)擴展能力,。

　　美光執(zhí)行副總裁暨首席技術(shù)與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：“美光憑借開發(fā)專有 DRAM 技術(shù)的專長,，結(jié)合對 EUV 光刻技術(shù)的戰(zhàn)略運用，打造出基于 1γ 節(jié)點的先進內(nèi)存產(chǎn)品組合,，助力推動 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展,。1γ DRAM 節(jié)點實現(xiàn)了更高的容量密度產(chǎn)出，彰顯了美光卓越的制造實力和效率,，并使我們能夠擴大內(nèi)存供應(yīng)的規(guī)模,，滿足行業(yè)日益增長的需求?！?/p>

　　美光在經(jīng)過多代驗證的 DRAM 技術(shù)和制造策略的基礎(chǔ)上,，成功打造出優(yōu)化的 1γ 節(jié)點,。1γ DRAM 節(jié)點的創(chuàng)新得益于 CMOS 技術(shù)的進步，包括下一代高 K 金屬柵極技術(shù),，它提升了晶體管性能,，實現(xiàn)了更高的速率、更優(yōu)化的設(shè)計以及更小的特征尺寸,，從而帶來功耗降低和性能擴展的雙重優(yōu)勢,。此外，通過采用 EUV 光刻技術(shù),，1γ 節(jié)點利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細(xì)的特征，從而獲得了業(yè)界領(lǐng)先的容量密度優(yōu)勢,。同時,，通過在全球各制造基地開發(fā) 1γ 節(jié)點，美光可為行業(yè)提供更先進的技術(shù)和更強的供應(yīng)韌性,。

　　美光執(zhí)行副總裁暨首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光再次引領(lǐng)行業(yè),，推出全球領(lǐng)先的內(nèi)存技術(shù)。1γ DRAM 制程憑借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就,。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將提供可擴展的內(nèi)存解決方案,，涵蓋從數(shù)據(jù)中心到端側(cè)設(shè)備等各個領(lǐng)域，助力 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展,，確保我們的客戶能夠應(yīng)對行業(yè)日新月異的需求,。”

　　推動云端至端側(cè)的產(chǎn)品變革

　　1γ 節(jié)點作為未來產(chǎn)品的基石,，將被全面整合到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中：

• 數(shù)據(jù)中心 — 基于 1γ 的 DDR5 內(nèi)存解決方案為數(shù)據(jù)中心提供高達(dá) 15% 的性能提升,，增強能效，并支持服務(wù)器性能的持續(xù)擴展,，使數(shù)據(jù)中心能夠在未來的機架級功耗和散熱設(shè)計中實現(xiàn)優(yōu)化,。

• 端側(cè) AI — 1γ 低功耗 DRAM 解決方案可提供更高的能效及帶寬，提升端側(cè) AI 解決方案的用戶體驗,。

• AI PC — 1y DDR5 SODIMMs 可提升性能并降低 20% 的功耗,，從而延長續(xù)航，優(yōu)化筆記本電腦的用戶體驗,。

• 移動設(shè)備 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的 AI 體驗,，延續(xù)美光在移動設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

• 汽車 — 基于 1γ 的 LPDDR5X 內(nèi)存可提升容量,、耐用性和性能,，同時傳輸速率高達(dá) 9600MT/s。

　　行業(yè)引語：

　　AMD 服務(wù)器平臺解決方案工程部門企業(yè)副總裁 Amit Goel 表示：“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點方面取得的進展,，并已開展對美光 1γ DDR5 內(nèi)存的驗證工作,。我們致力于通過下一代 AMD EPYC（霄龍）數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品以及全系列消費級處理器,，持續(xù)推動計算生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，因此與美光的緊密合作至關(guān)重要,?！?/p>

　　英特爾內(nèi)存與 IO 技術(shù)副總裁兼總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示：“美光 1γ 節(jié)點的進步為英特爾服務(wù)器和 AI PC 帶來了顯著的功耗及容量優(yōu)化。我們很高興看到美光在 DRAM 技術(shù)方面的持續(xù)創(chuàng)新,，并期待基于這些優(yōu)勢進一步提升服務(wù)器系統(tǒng)的性能和 PC 的續(xù)航,。英特爾正在通過其嚴(yán)格的服務(wù)器驗證流程，對美光 1γ DDR5 內(nèi)存樣品進行驗證,，從而為我們的客戶提供高品質(zhì),、體驗一流的服務(wù)器系統(tǒng)?！?/p>

　　符合條件的客戶及合作伙伴可以加入美光的 DDR5 技術(shù)支持計劃（TEP）,，提前獲取技術(shù)信息、電氣和熱模型,，以及關(guān)于設(shè)計,、開發(fā)和推出下一代計算平臺的支持。

　　¹數(shù)據(jù)傳輸速率的提升基于對 1γ DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品預(yù)期速率的估算,。,。

　　²功耗降低效果依據(jù) 1γ DDR5 內(nèi)存與 1β DDR5 內(nèi)存的功耗（瓦特）對比計算所得。

　　³單片晶圓容量提升的百分比,，依據(jù) 1β 與 1γ 制程下晶圓整體容量密度的對比結(jié)果計算得出,。

　　⁴功耗降低效果依據(jù) 1γ DDR5 SODIMM內(nèi)存與 1β DDR5 SODIMM內(nèi)存的功耗（瓦特）對比計算所得。

更多精彩內(nèi)容歡迎點擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<