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三星電子2nm工藝EUV曝光層數(shù)將增加30%以上

未來SF1.4節(jié)點有望超30層
2024-07-24
來源:IT之家

7 月 23 日消息,,韓媒 The Elec 本月 17 日報道稱,三星電子預計于明年推出的 2nm 先進制程將較現(xiàn)有 3nm 工藝增加 30% 以上的 EUV 曝光層數(shù),,達“20~30 的中后半段”,。

韓媒在報道中提到,,根據(jù)產(chǎn)品性質(zhì)的不同,即使同一節(jié)點曝光層數(shù)量也并非完全固定,。不過總體來說,,三星電子 3nm 工藝的平均 EUV 曝光層數(shù)量僅為 20 層;

而在預計于 2027 年量產(chǎn)的 SF1.4 制程中,,EUV 曝光層的數(shù)量有望超越 30 層,。

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▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 光刻機 NXE:3800E

隨著先進制程的演進,對晶體管尺寸的要求逐漸嚴苛,。而在曝光層中用 EUV 光刻取代傳統(tǒng) DUV,,可實現(xiàn)更高光刻精度,進一步提升晶體管密度,,在單位面積中容納更多的集成電路,。

在此背景下,先進邏輯代工企業(yè)積極購進 ASML 的 EUV 機臺,。

以臺積電為例,,根據(jù)IT之家此前報道,其今明兩年將總共接收超 60 臺 EUV 光刻機,。韓媒預估臺積電到 2025 年底將擁有超 160 臺 EUV 光刻機,。

此外 DRAM 內(nèi)存行業(yè)的 EUV 光刻用量也在提升:

在第六代 20~10nm 級工藝(即 1c nm、1γ nm)上,,三星電子使用了 6~7 個 EUV 層,,SK 海力士使用了 5 個 EUV 層,美光也在此節(jié)點首次導入了 EUV 光刻,。


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