8 月 1 日消息,，韓媒 ETNews 報道稱,，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備,，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn),。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn),。

▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存

按照韓媒的說法,，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平,。

注：從代際發(fā)布間隔來看,，美光從 232 層 NAND 閃存到 276 層用時 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 間隔約 1.5 年,。

韓媒在報道中還提到,，SK 海力士新的 400+ 層堆疊 NAND 閃存將采用不同于現(xiàn)有“4D NAND”的整體結(jié)構：

SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，單元下外圍）技術,，將外圍控制電路放置在存儲單元的下方,，較更傳統(tǒng)的外圍電路側(cè)置設計可減少芯片占用空間。

而 SK 海力士未來的 NAND 將在兩塊晶圓上分別制造外圍電路和存儲單元,，此后采用 W2W（晶圓對晶圓）形式的混合鍵合技術,，將這兩部分整合為完整的閃存。

換句話說,，SK 海力士也將采用類似長江存儲 Xtacking,、鎧俠-西部數(shù)據(jù) CBA 的結(jié)構設計。

報道指出,，SK 海力士已在著手構建 NAND 混合鍵合所需的原材料與設備供應鏈,，正對混合鍵合技術與材料進行新的審查；此外三星電子也考慮在下一代 NAND 生產(chǎn)中應用混合鍵合,。