7 月 31 日消息,,韓媒 ZDNet Korea 報道稱,三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可,,對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響,。
三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產(chǎn),,對應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
然而直到現(xiàn)在,三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA(IT之家注:應(yīng)指 Production Readiness Approval)量產(chǎn)就緒許可,。而容量更高,、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲需求的熱點(diǎn)。
明星產(chǎn)品前景不明,,使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音,。
▲ 三星電子平澤園區(qū)
根據(jù)三星電子此前的規(guī)劃,平澤 P4 工廠將成為一個綜合性的半導(dǎo)體生產(chǎn)中心,,其包含四個階段,,可制造邏輯、NAND,、DRAM 等產(chǎn)品,,
其中 P4 工廠的第一階段用于 NAND 生產(chǎn)、第二階段用于邏輯代工,、第三和第四階段用于 DRAM 制造,。
不過由于晶圓代工訂單數(shù)量不足,而以 HBM 為代表的 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品需求火爆,,三星電子已于上半年調(diào)整了平澤 P4 工廠投資計劃,,先行建設(shè) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線,延后邏輯代工線建設(shè),。
三星電子目前在平澤 P4 工廠第一階段的 NAND 產(chǎn)能為每月 10000 片晶圓,,此前提出了到明年將月度晶圓投片量提升至 45000 片的目標(biāo)。
但 V9 QLC NAND 并未及時得到量產(chǎn)許可,,導(dǎo)致有內(nèi)部人士認(rèn)為應(yīng)該將第一階段的部分建設(shè)面積用于前景更明確的 DRAM 生產(chǎn),。