8 月 1 日消息,，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0,。

泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：

Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。

泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn),，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破,。

它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect Ratio）圖形特征,，同時降低對環(huán)境的影響，蝕刻速度是傳統(tǒng)介電工藝的兩倍多,。

Lam Cryo 3.0 是我們的客戶克服人工智能時代關(guān)鍵 NAND 制造障礙所需的蝕刻技術(shù),。

在現(xiàn)有 3D NAND 的生產(chǎn)中，需要用從器件頂部至底部的細(xì)長垂直孔道將各層存儲單元連接起來,。

而在孔道構(gòu)建過程中,，即使圖形特征與目標(biāo)輪廓出現(xiàn)原子級的輕微誤差，也可能對存儲新品的電氣性能產(chǎn)生負(fù)面影響,，并可能影響良率,。

而 Lam Cryo 3.0 結(jié)合了高能密閉式等離子反應(yīng)器、遠(yuǎn)低于 0℃工作溫度以及新的化學(xué)蝕刻物質(zhì),，可蝕刻出深寬比達(dá) 50:1,、深度達(dá) 10μm 的通道，同時從頂部到底部的特征關(guān)鍵尺寸偏差不到 0.1%,。

此外相較傳統(tǒng)介電工藝,，Lam Cryo 3.0 技術(shù)的蝕刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%,，排放量更減少了 90%,。