8 月 8 日消息,比利時微電子研究中心 imec 當?shù)貢r間昨日宣布,,在其與 ASML 合作的 High NA EUV 光刻實驗室首次成功利用 High NA EUV 光刻機曝光了邏輯和 DRAM 的圖案結(jié)構(gòu),。
在邏輯圖案方面,imec 成功圖案化了單次曝光隨機邏輯機構(gòu),,實現(xiàn)了 9.5nm 密集金屬線(IT之家注:對應 19nm Pitch),,將端到端間距尺寸降低至 20nm 以下:
▲ 密集金屬線。圖源 imec,,下同
不僅如此,,imec 實現(xiàn)了中心間距 30nm 的隨機通孔,展現(xiàn)了出色的圖案保真度和臨界尺寸一致性:
▲ 隨機通孔
此外,,imec 通過 High NA EUV 光刻機構(gòu)建了 P22nm 間距的二維特征,,顯示了新一代光刻技術在二維布線方面的潛力:
▲ 二維特征
而在 DRAM 領域,imec 成功利用單次曝光圖案化了集成 SNLP(Storage Node Landing Pad)和位線外圍的 DRAM 設計,展現(xiàn)了 High NA EUV 減少曝光次數(shù)的能力:
▲ DRAM 設計
imec 總裁兼首席執(zhí)行官 Luc Van den hove 表示:
這些結(jié)果證實了 High NA EUV 光刻技術長期以來所預測的分辨率能力,,一次曝光即可實現(xiàn) 20nm 以下間距的金屬層,。
因此 High NA EUV 將對邏輯和存儲器技術的尺寸擴展起到重要作用,而這正是將路線圖推向 "埃米時代" 的關鍵支柱之一,。
這些早期演示之所以能夠?qū)崿F(xiàn),,要歸功于 ASML-imec 聯(lián)合實驗室的建立,它使我們的合作伙伴能夠加快將 High NA 光刻技術引入制造領域,。