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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性

針對開關(guān)應用中的低RDSon,、低尖峰和高效率進行了優(yōu)化
2024-08-13
來源:Nexperia
關(guān)鍵詞: Nexperia MOSFET 電機控制

  奈梅亨,,2024年8月7日:Nexperia今日宣布,,公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件,。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化,可在服務器,、電源,、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰,。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

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  許多MOSFET制造商在將其器件的開關(guān)性能與其他產(chǎn)品進行對比時,,特別看重是否能通過低QG(tot)和低QGD實現(xiàn)高效率,。然而,通過廣泛的研究,Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要,,因為它會影響尖峰表現(xiàn),,進而影響器件開關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)量。通過專注于研究該參數(shù),,Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平,,同時也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶的應用在后期未通過電磁兼容性(EMC)測試,,而需要重新設計時,,這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本,從而為最終用戶帶來顯著的益處,。

  與當前可用的器件相比,,這些新MOSFET的導通電阻(RDSon)降幅高達31%。Nexperia還計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產(chǎn)品組合,,再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET,,在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on),同時在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212,。為了進一步支持這些器件的設計導入和驗證,,Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊,為工程師提供了全面且用戶友好的器件行為分析,。




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