9月8日消息,,據(jù)彭博社引述消息人士的話報(bào)道稱,臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開(kāi)始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn),其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng),。臺(tái)積電表示,,項(xiàng)目照計(jì)劃進(jìn)行,,并且進(jìn)展良好,。
根據(jù)規(guī)劃,臺(tái)積電將在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠,,其中晶圓一廠(Fab21)是4nm制程晶圓廠,,晶圓二廠則是3nm晶圓廠。此前由于缺乏熟練工人等問(wèn)題,,導(dǎo)致晶圓一廠的量產(chǎn)時(shí)間從2024年推遲到了2025年,,晶圓二廠的量產(chǎn)時(shí)間也由原定的2026年推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后,,合計(jì)將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓,,換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過(guò)400億美元,。
此外,,臺(tái)積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠,預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底(2029~2030年),,采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn),。
臺(tái)積電這三座晶圓廠的總投資將會(huì)達(dá)到650億美元。為此,,美國(guó)政府已經(jīng)承諾將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》為臺(tái)積電提供66億美元補(bǔ)貼,。
根據(jù)此前的傳聞顯示,,臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓一廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè),并開(kāi)始接電并投入第一批晶圓試產(chǎn),。而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來(lái)看,,基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng),那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn),,良率將不是問(wèn)題,。
另外,按照晶圓一廠從試產(chǎn)到量產(chǎn)約6.5個(gè)月,、驗(yàn)證一個(gè)月估算,,臺(tái)積電有機(jī)會(huì)在今年底就完成量產(chǎn)所有準(zhǔn)備,那么明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。預(yù)計(jì)屆時(shí)蘋(píng)果,、英偉達(dá)、AMD,、高通等美國(guó)芯片設(shè)計(jì)大廠都將會(huì)下單,。