9 月 11 日消息，據(jù)國家電力投資集團(tuán)有限公司（以下簡稱“國家電投”）9 月 10 日消息,，近日,，國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創(chuàng)芯”）暨國家原子能機構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付,。

國家電投表示，這標(biāo)志著我國已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補全了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán),，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。

據(jù)國家電投介紹,，氫離子注入是半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié),，在集成電路、功率半導(dǎo)體,、第三代半導(dǎo)體等多種類型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用,，該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴(yán)重制約了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是 600V 以上高壓功率芯片長期依賴進(jìn)口,。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破,，打破了國外壟斷。

核力創(chuàng)芯在不到三年的時間里,，突破多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘,，實現(xiàn)了 100% 自主技術(shù)和 100% 裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺,。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證,，主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，獲得用戶高度評價,。

查詢獲悉,，國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日，注冊地位于江蘇省無錫市,，注冊資本 7022.63 萬元,。