當(dāng)?shù)貢r間9月11日,，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布,，公司已成功開發(fā)出全球首款300毫米（12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)。英飛凌是世界上第一家在現(xiàn)有且可擴展的大批量制造環(huán)境中掌握這項突破性技術(shù)的公司,。這一突破將有助于大幅推動基于 GaN 的功率半導(dǎo)體市場,。與 200 mm 晶圓相比,，300 mm 晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更先進,，效率更高,，因為更大的晶圓直徑每個晶圓可容納 2.3 倍的芯片。

目前基于氮化鎵的功率半導(dǎo)體在工業(yè),、汽車和消費,、計算和通信應(yīng)用中得到快速采用，包括AI系統(tǒng)的電源供應(yīng)器,、太陽能逆變器,、充電器和適配器以及電機控制系統(tǒng)。最先進的 GaN 制造工藝可以提高器件性能,，從而為最終客戶的應(yīng)用帶來好處,，因為它可以實現(xiàn)效率性能、更小的尺寸,、更輕的重量和更低的總成本,。此外，300 毫米制造通過可擴展性確保了卓越的客戶供應(yīng)穩(wěn)定性,。

英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實力和全球團隊專注工作的結(jié)果,，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統(tǒng)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位。這項技術(shù)突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則,，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力,。在收購 GaN Systems 近一年后，我們再次證明我們決心成為快速增長的 GaN 市場的領(lǐng)導(dǎo)者,。作為電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者,，英飛凌掌握了所有三種相關(guān)材料：硅、碳化硅和氮化鎵,?！?/p>

據(jù)介紹，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫的功率工廠現(xiàn)有的 300 mm 硅生產(chǎn)中,，成功地在一條集成試驗線上制造了 300 mm GaN 晶圓,。該公司正在利用現(xiàn)有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生產(chǎn)中的成熟能力。英飛凌將根據(jù)市場需求進一步擴大 GaN 產(chǎn)能,。300 毫米 GaN 制造將使英飛凌能夠塑造不斷增長的 GaN 市場,，預(yù)計到本十年末，該市場將達到數(shù)十億美元,。

這一開創(chuàng)性的技術(shù)成功凸顯了英飛凌作為電源系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位,。英飛凌正在實施 300 毫米 GaN，以增強現(xiàn)有并支持新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域,，使其具有越來越經(jīng)濟高效的價值主張,，并能夠滿足各種客戶系統(tǒng)的需求。英飛凌將在電子展2024 年 11 月在慕尼黑舉行的貿(mào)易展,。

300 mm GaN 技術(shù)的一個顯著優(yōu)勢是它可以利用現(xiàn)有的 300 mm 硅制造設(shè)備,，因為氮化鎵和硅在制造過程中非常相似。英飛凌現(xiàn)有的大批量 300 毫米硅生產(chǎn)線非常適合試點可靠的 GaN 技術(shù),，從而加快實施和高效利用資本,。完全按比例生產(chǎn)的 300 毫米 GaN 將有助于 GaN 成本與硅（Si）持平,，這意味著同類硅和 GaN 產(chǎn)品的成本將走向持平。

英飛凌表示,，300 毫米 GaN 是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位的又一里程碑,，支持英飛凌的脫碳和數(shù)字化使命。