10月17日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報導(dǎo),，雖然三星今年以來積極地想通過英偉達(dá)HBM3E認(rèn)證,，期望打入英特爾的供應(yīng)鏈，但8層堆疊的HBM3E產(chǎn)品仍未通過認(rèn)證，12層堆疊的產(chǎn)品很可能將延后至2025年第二季或第三季之后才有機(jī)會供應(yīng)。

有專家指出，三星HBM問題就是核心芯片DRAM,。HBM結(jié)構(gòu)是將多個DRAM垂直堆疊連接,，DRAM性能與HBM性能直接相關(guān)。因此懷疑用于三星HBM3E的DRAM,，即三星1a制程第四代DRAM出了問題,。

報道解釋稱，10nm級制程DRAM產(chǎn)品,，分為第一代1x制程,、第二代1y制程、第三代1z制程,、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程,。第四代1a制程DRAM線寬約14nm，三星于2021下半年量產(chǎn),，盡管比對手早,，還用了EUV來提高產(chǎn)能，但未讓三星1a制程DRAM競爭力提升,，反而因用EUV難度較高,，讓三星1a制程DRAM生產(chǎn)成本遲遲無法下降。

另外,，三星1a制程DRAM設(shè)計不夠完美,，尤其服務(wù)器產(chǎn)品開發(fā)受挫，使商用較競爭對手落后,。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服務(wù)器產(chǎn)品率先通過英特爾認(rèn)證,，而三星HBM3E卻遲遲無法通過英偉達(dá)認(rèn)證。

三星日前平澤產(chǎn)線全面清查英偉達(dá)認(rèn)證過八層堆疊HBM3E產(chǎn)品,，但沒有問題，三星自行檢查只查出數(shù)據(jù)處理速度低于其他產(chǎn)品,，較SK海力士和美光產(chǎn)品低約10%,。

三星考慮新方法，就是部分重新設(shè)計1a制程DRAM,，之后再恢復(fù)服務(wù)器DRAM和HBM產(chǎn)品競爭力,。市場人士表示，三星還未最后決定,。但若重新設(shè)計,，三星須承受更大營運壓力。

目前三星正面臨半導(dǎo)體業(yè)務(wù)獲利壓力,，此外智能手機(jī),、家電、顯示器等部門都面臨困境,。此前由于三季度營業(yè)利潤低于市場預(yù)期,，三星電子還罕見地發(fā)布聲明致歉,。