10 月 30 日消息,，分析機構(gòu) TrendForce 集邦咨詢表示,，三大 HBM 內(nèi)存巨頭在對堆疊高度限制,、I/O 密度,、散熱等要求的考量下,，已確定于 HBM5 20hi（注：即 20 層堆疊）世代使用混合鍵合 Hybrid Bonding 技術(shù)。

該機構(gòu)認(rèn)為,，在 HBM4,、HBM4e 兩代產(chǎn)品上 SK 海力士、三星電子,、美光三家企業(yè)均會推出 12hi,、16hi 版本以滿足對不同容量的需求，其中 12hi 產(chǎn)品將繼續(xù)使用現(xiàn)有的微凸塊鍵合技術(shù),，16hi 產(chǎn)品技術(shù)路線尚未確定,。

此外英偉達(dá)未來 AI GPU 將與 HBM5 內(nèi)存以 3D 堆疊而非現(xiàn)有 2.5D 的形式集成。

機構(gòu)表示,，無凸塊的混合鍵合技術(shù)可容納較多堆疊層數(shù),，也能容納較厚的晶粒厚度，以改善翹曲問題,，能提升芯片傳輸速度,，散熱表現(xiàn)也更為優(yōu)異，但還需克服微?？刂频燃夹g(shù)問題,。

在 HBM4(e)16hi 產(chǎn)品上是否采用混合鍵合是一個兩難問題：提前導(dǎo)入混合鍵合固然可及早經(jīng)歷新堆疊技術(shù)的學(xué)習(xí)曲線，確保 HBM5 20Hi 順利量產(chǎn),，但也意味著額外的設(shè)備投資,，此前在微凸塊鍵合上積累的技術(shù)優(yōu)勢也將部分損失。

混合鍵合需以 WoW（晶圓對晶圓）模式堆疊,，不僅對前端生產(chǎn)良率提出了更高要求,，也意味著第一層（也是每一層）DRAM 芯片的尺寸需與底部 Base Die 相同。

而 HBM 內(nèi)存的 Base Die 正走向外部化,、定制化,，臺積電等同時具備先進(jìn) Base Die 生產(chǎn)與 WoW 堆疊能力的企業(yè)有望更深程度參與 HBM 生產(chǎn)，從而改變 HBM + 先進(jìn)封裝鏈條的商業(yè)模式,。