12 月 22 日消息,，據(jù)外媒 Wccftech 今日報道,，美光發(fā)布了其 HBM4 和 HBM4E 項目的最新進展,。

具體來看，下一代 HBM4 內(nèi)存采用 2048 位接口,，計劃在 2026 年開始大規(guī)模生產(chǎn),，而 HBM4E 將會在后續(xù)幾年推出。

HBM4E 不僅會提供比 HBM4 更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,，還可根據(jù)需求定制基礎(chǔ)芯片，這一變化有望推動整個行業(yè)的發(fā)展,。

據(jù)了解,，定制的邏輯芯片將由臺積電使用先進工藝制造，能夠集成更多的緩存和邏輯電路,，從而提升內(nèi)存的性能和功能,。

美光總裁兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 的推出將改變存儲行業(yè)，它將提供定制邏輯基礎(chǔ)芯片的選項,，借助臺積電先進的工藝,，美光將能夠為特定客戶提供定制化解決方案。這項創(chuàng)新將推動美光財務(wù)表現(xiàn)的提升,?！?/p>

美光表示，HBM4E 的開發(fā)進展順利,，已經(jīng)與多家客戶展開合作,，預(yù)計不同客戶將采用不同配置的基礎(chǔ)芯片,。

據(jù)了解，美光的 HBM4 將采用 1β 工藝（第五代 10nm 技術(shù)）生產(chǎn)的 DRAM,，置于一個 2048 位接口的基礎(chǔ)芯片上,，數(shù)據(jù)傳輸速率約為 6.4GT/s，理論帶寬高達每堆棧 1.64TB/s,。

美光還透露,，針對英偉達的 Blackwell 處理器，8-Hi HBM3E 設(shè)備的出貨已全面展開,，12-Hi HBM3E 堆棧正在進行測試,，主要客戶反饋良好。