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2025年全球半導體產(chǎn)業(yè)十大看點

2025-02-10
來源:中國電子報

經(jīng)歷了2024年的蓄勢與回暖,全球半導體業(yè)界對2025年市場表現(xiàn)呈樂觀預期,。WSTS預測,2024年全球銷售額將同比增長19.0%,,達到6269億美元,。2025年,,全球銷售額預計達到6972億美元,同比增長11.2%,。伴隨市場動能持續(xù)復蘇,,十大半導體技術趨勢蓄勢待發(fā)。

01 2nm及以下工藝量產(chǎn)

2025年,,是先進制程代工廠交付2nm及以下工藝的時間點,。臺積電2nm工藝預計2025年下半年量產(chǎn),這也是臺積電從FinFet架構轉(zhuǎn)向GAA(全環(huán)繞柵極)架構的第一個制程節(jié)點,,將導入納米片晶體管技術,。三星計劃2025年量產(chǎn)2nm制程SF2,并將在2025—2027年陸續(xù)推出SF2P,、SF2X,、SF2Z、SF2A等不同版本,,分別面向移動,、高性能計算及AI(SF2X和SF2Z都面向這一領域,但SF2Z采用了背面供電技術)和汽車領域,。英特爾的Intel 18A(1.8nm)也將在2025年量產(chǎn),,將采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術,采用Intel 18A的首家外部客戶預計于2025年上半年完成流片,。


02 HBM4最快下半年出貨

HBM的迭代和制造已經(jīng)開啟競速模式,。有消息稱,為了配合英偉達的新品發(fā)布節(jié)奏,,SK海力士原計劃2026年量產(chǎn)的HBM4,,將提前至2025年下半年量產(chǎn),采用臺積電3nm制程,。三星也被傳出計劃在2025年年底完成HBM4開發(fā)后立即開始大規(guī)模生產(chǎn),,目標客戶包括微軟和Meta。根據(jù)JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布的HBM4初步規(guī)范,,HBM4提高了單個堆棧內(nèi)的層數(shù),,從HBM3的最多12層增加到了最多16層,將支持每個堆棧2048位接口,,數(shù)據(jù)傳輸速率達到6.4GT/s,。


03 先進封裝產(chǎn)能持續(xù)放量

2024年,先進封裝景氣復蘇,,引領封測產(chǎn)業(yè)向好,。2025年,,先進封裝市場需求有望持續(xù)回暖,OSAT(封裝測試代工廠商)及頭部晶圓廠將進一步擴充先進封裝產(chǎn)能,,并推動技術升級,。臺積電在加速CoWoS產(chǎn)能擴充的同時,將在2025年至2026年期間,,將CoWoS的光罩尺寸從2023年的3.3倍提升至5.5倍,,基板面積突破100×100mm,最多可容納12個HBM4,。長電科技上海臨港車規(guī)級芯片成品制造基地計劃于2025年建成并投入使用,。通富超威蘇州新基地——通富超威(蘇州)微電子有限公司項目一期預計2025年1月實現(xiàn)批量生產(chǎn),從事FCBGA高端先進封測,。華天科技的江蘇盤古半導體板級封測項目將于2025年第一季度完成工藝設備搬入,,并實現(xiàn)項目投產(chǎn),致力于推動板級扇出封裝技術的大規(guī)模量產(chǎn),。


04 AI處理器出貨繼續(xù)保持強勁

2025年,一批AI芯片新品將發(fā)布或上市,,在架構,、制程、散熱方式等方面迭代更新,,以期提供更強算力和能效,。英特爾將在2025年推出基于Intel 18A制程的AI PC處理器Panther Lake和數(shù)據(jù)中心處理器Clearwater Forest。英偉達預計2025年推出下一代“Blackwell Ultra”GB300,,此前發(fā)布的GB200 NVL4超級芯片將于2025年下半年供應,。AMD將在2025年推出下一代AMD CDNA 4架構,相比基于CDNA 3架構的Instinct加速器,,AI推理性能預計提升35倍,。AI處理器的出貨動能將拉動存儲、封裝等環(huán)節(jié)的成長,。


05 高階智駕芯片進入上車窗口期

2025年被諸多車規(guī)芯片廠商視為高階智駕的決賽點,、量產(chǎn)上車的窗口期。地平線Horizon SuperDrive全場景智能駕駛解決方案預計2025年第三季度交付首款量產(chǎn)合作車型,,疊加征程6旗艦版“決勝2025年這一量產(chǎn)關鍵窗口期”,。黑芝麻武當系列預計2025年上車量產(chǎn),提供自動駕駛,、智能座艙,、車身控制和其他計算功能跨域融合能力。芯擎科技自動駕駛芯片“星辰一號”計劃于2025年實現(xiàn)批量生產(chǎn),。國際企業(yè)方面,,高通于2024年10月發(fā)布的Snapdragon Ride至尊版平臺將于2025年出樣,。此外,基于前代Snapdragon Ride平臺,,高通已與十多家中國合作伙伴打造了智能駕駛和艙駕融合解決方案,,也將在2025年繼續(xù)上車。英特爾首款銳炫車載獨立顯卡將于2025年量產(chǎn),,滿足汽車座艙對算力不斷增長的需求,。


06 量子處理器規(guī)模上量

聯(lián)合國宣布2025年為“量子科學與技術之年”。在2024年年末,,谷歌Willow,、中國科學技術大學“祖沖之三號”等最新量子處理器接連亮相,在量子比特數(shù),、量子糾錯,、相干時間、量子計算優(yōu)越性等方面取得突破,。2025年,,業(yè)界有望迎來更大規(guī)模的量子處理器及計算系統(tǒng)。IBM將在2025年發(fā)布包含1386量子比特,、具有量子通信鏈路的多芯片處理器“Kookaburra”,。作為演示,IBM會將三個Kookaburra芯片接入一個包含4158量子比特的系統(tǒng)中,。此外,,2025年,IBM將通過集成模塊化處理器,、中間件和量子通信來展示第一臺以量子為中心的超級計算機,,并進一步提升量子電路的質(zhì)量、執(zhí)行,、速度和并行化,。


07 硅光芯片制造技術走向成熟

隨著AI服務器對數(shù)據(jù)傳輸速率的要求急劇提升,融合了硅芯片工藝流程和光電子高速率,、高能效優(yōu)勢的硅光芯片備受關注,。2025年,硅光芯片的制造工藝走向成熟,。湖南省人民政府在《加快“世界光谷”建設行動計劃》中提到,,到2025年,完成12英寸基礎硅光流片工藝開發(fā),,形成國際領先的硅光晶圓代工和生產(chǎn)制造能力,。《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案(2024—2030年)》提到,,支持光芯片相關部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化,,支持硅光集成,、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝,、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化,。在國際企業(yè)方面,英偉達在2024年12月的IEDM 2024上展示了與臺積電合作開發(fā)的硅光子原型,。臺積電將在2025年實現(xiàn)適用于可插拔光模塊的1.6T光引擎,,并完成小型可插拔產(chǎn)品的COUPE(緊湊型通用光子引擎)驗證。據(jù)臺積電介紹,,COUPE技術使用SoIC-X芯片堆疊技術,,將電子裸片堆疊在光子裸片上,從而在die-to-die(裸片與裸片)接口提供更低電阻和更高能效,。


08 AI加速與半導體生產(chǎn)融合

AI正在加速與半導體設計,、制造等全流程融合。2024年3月,,新思科技將AI驅(qū)動型EDA全套技術棧部署于英偉達GH200 Grace Hopper超級芯片平臺,,將在芯片設計、驗證,、仿真及制造各環(huán)節(jié)實現(xiàn)最高15倍的效能提升,。2024年7月,Aitomatic發(fā)布首個為半導體行業(yè)定制的開源大模型SemiKong,,宣稱能縮短芯片設計的上市時間、提升首次流片良率,,并加速工程師的學習曲線,。2025年,AI有望輔助或者代替EDA的擬合類算法和工作,,包括Corner預測,、數(shù)據(jù)擬合、規(guī)律學習等,。在制造方面,,臺積電有望在2nm及以下制程開發(fā)中使用英偉達計算光刻平臺cuLitho。該平臺提供的加速計算以及生成式AI,,使晶圓廠能夠騰出可用的計算能力和工程帶寬,,以便在開發(fā)2nm及更先進的新技術時設計出更多新穎的解決方案。


09 RISC-V開啟高性能產(chǎn)品化

2024年,,RISC-V進一步向高性能芯片領域滲透,。中國科學院計算技術研究所與北京開源芯片研究院發(fā)布第三代“香山”開源高性能RISC-V處理器核,性能水平進入全球第一梯隊,。同時,,面向人工智能,、數(shù)據(jù)中心、自動駕駛,、移動終端等高性能計算領域,,芯來科技、奕斯偉,、賽昉科技,、進迭時空等一批國內(nèi)企業(yè)發(fā)布了IP,工具鏈,,軟件平臺,,AI PC芯片、AI MCU,、多媒體處理器等芯片,,以及開發(fā)板等產(chǎn)品,并在筆記本電腦,、云計算以及行業(yè)應用等領域形成一批案例,。RISC–V主要發(fā)明人Krste Asanovi預測,2025年RISC-V內(nèi)核數(shù)將增至800億顆,。2025年也被視為中國RISC-V產(chǎn)業(yè)承上啟下,、打造高性能標桿產(chǎn)品的關鍵一年,加速打造標志性產(chǎn)品,、深化生態(tài)建設并推動RISC-V+AI融合,,成為產(chǎn)業(yè)共識。


10 碳化硅進入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換階段

在2024年,,碳化硅產(chǎn)業(yè)加快了從6英寸向8英寸過渡的步伐,。2025年,碳化硅產(chǎn)業(yè)將正式進入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換階段,。意法半導體在中國設立的合資工廠項目——安意法半導體碳化硅器件工廠預計2025年量產(chǎn),。芯聯(lián)集成8英寸碳化硅產(chǎn)線計劃2025年進入規(guī)模量產(chǎn)。羅姆福岡筑后工廠計劃于2025年開始量產(chǎn),。Resonac計劃于2025年開始規(guī)模生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底,。安森美將于2025年投產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。


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