4 月 9 日消息,，根據(jù)首爾經(jīng)濟日報報道,，三星電子開始研發(fā) 1.0nm 晶圓代工工藝，以圖在與臺積電的競爭中實現(xiàn)“技術(shù)翻盤”,。

根據(jù)該日報報道,，三星電子半導(dǎo)體研究所近日正式著手研發(fā) 1.0nm 工藝,，部分曾參與 2nm 等尖端制程的研發(fā)人員被抽調(diào)，組建了專項項目團隊,。在目前三星公開的晶圓代工工藝路線圖中,，計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm 工藝為目前最尖端的工藝。

根據(jù)該日報所述,，1nm 工藝需要打破現(xiàn)有設(shè)計框架，引入新技術(shù)概念,，以及引入高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設(shè)備等下一代設(shè)備,。三星預(yù)計，量產(chǎn)時間將在 2029 年之后,。

目前,，三星在量產(chǎn)中的 3nm 工藝，以及預(yù)計在今年量產(chǎn)的 2nm 工藝,，首爾經(jīng)濟日報認為技術(shù)上仍落后于臺積電,，尤其是 2nm 工藝方面，臺積電的良率已突破 60%,，存在顯著差距,。因此，三星對 1nm 工藝寄予厚望,，三星會長李在镕上月向高管們強調(diào)要“延續(xù)重視技術(shù)的傳統(tǒng)”,，并表示“以前所未有的技術(shù)引領(lǐng)未來”。

根據(jù)此前援引韓媒 The Bell 報道,，三星目前最新的 2nm SF2 工藝初始良率“高于預(yù)期”,，搭載該工藝的 Exynos 2600 芯片試產(chǎn)良率為 30%。