0 引言
Boost是一種升壓電路,，這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以使輸入電流連續(xù)，并且在整個(gè)輸入電壓的正弦周期都可以調(diào)制,，因此可獲得很高的功率因數(shù),；該電路的電感電流即為輸入電流，因而容易調(diào)節(jié),；同時(shí)開關(guān)管門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)地與輸出共地，故驅(qū)動(dòng)簡單,；此外,，由于輸入電流連續(xù)，開關(guān)管的電流峰值較小,，因此,，對輸入電壓變化適應(yīng)性強(qiáng)。
儲(chǔ)能電感在Boost電路起著關(guān)鍵的作用,。一般而言,，其感量較大，匝數(shù)較多,，阻抗較大,，容易引起電感飽和，發(fā)熱量增加,，嚴(yán)重威脅產(chǎn)品的性能和壽命,。因此，對于儲(chǔ)能電感的設(shè)計(jì),，是Boost電路的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一,。本文基于ST公司的L6562設(shè)計(jì)了一種Boost電路，并詳細(xì)分析了磁性元器件的設(shè)計(jì)方法,。
1 Boost電路的基本原理
Boost電路拓?fù)淙鐖D1所示,。圖中，當(dāng)開關(guān)管T導(dǎo)通時(shí),，電流,，IL流過電感線圈L,，在電感線圈未飽和前，電流線性增加,，電能以磁能的形式儲(chǔ)存在電感線圈中,，此時(shí)，電容Cout放電為負(fù)載提供能量,；而當(dāng)開關(guān)管T關(guān)斷時(shí),，由于線圈中的磁能將改變線圈L兩端的電壓VL卡及性，以保持其電流IL不突變,。這樣,，線圈L轉(zhuǎn)化的電壓VL與電源Vin串聯(lián)，并以高于輸出的電壓向電容和負(fù)載供電,，如圖2所示是其電壓和電流的關(guān)系圖,。圖中，Vcont為功率開關(guān)MOSFET的控制信號(hào),，VI為MOFET兩端的電壓,，ID為流過二極管D的電流。以電流,，IL作為區(qū)分,，Boost電路的工作模式可分為連續(xù)模式、斷續(xù)模式和臨界模式三種,。
分析圖2,，可得：
式(2)即為Boost電路工作于連續(xù)模式和臨界模式下的基本公式。
2 臨界狀態(tài)下的Boost-APFC電路設(shè)計(jì)
基于L6562的臨界工作模式下的Boost-APFC電路的典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示,，圖4所示是其APFC工作原理波形圖,。
利用Boost電路實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的原理是使輸入電流跟隨輸入電壓，并獲得期望的輸出電壓,。因此,，控制電路所需的參量包括即時(shí)輸入電壓、輸入電流及輸出電壓,。乘法器連接輸入電流控制部分和輸出電壓控制部分,，輸出正弦信號(hào)。當(dāng)輸出電壓偏離期望值,，如輸出電壓跌落時(shí),，電壓控制環(huán)節(jié)的輸出電壓增加，使乘法器的輸出也相應(yīng)增加,，從而使輸入電流有效值也相應(yīng)增加,，以提供足夠的能量。在此類控制模型中,，輸入電流的有效值由輸出電壓控制環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)調(diào)制,，而輸入電流控制環(huán)節(jié)使輸入電流保持正弦規(guī)律變化,，從而跟蹤輸入電壓。本文在基于此類控制模型下,，采用ST公司的L6562作為控制芯片,，給出了Boost-APFC電路的設(shè)計(jì)方法。
L6562的引腳功能如下：
- INV：該引腳為電壓誤差放大器的反相輸入端和輸出電壓過壓保護(hù)輸入端,；
- COMP：該引腳同時(shí)為電壓誤差放大器的輸出端和芯片內(nèi)部乘法器的一個(gè)輸人端,。反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)接在該引腳與引腳INV之間；
- MULT：該引腳為芯片內(nèi)部乘法器的另一輸入端,；
- CS：該腳為芯片內(nèi)部PWM比較器的反相輸入端,，可通過電阻R6來檢測MOS管電流；
- ZCD：該腳為電感電流過零檢測端,，可通過一限流電阻接于Boost電感的副邊繞組,。R7的選取應(yīng)保證流入ZCD引腳的電流不超過3 mA；
- GND：該引腳為芯片地,，芯片所有信號(hào)都以該引腳為參考,，該引腳直接與主電路地相連；GD：為MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳,。為避免MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)震蕩,，一般在GD引腳與MOS管的柵極之間連接一十幾歐姆到幾十歐姆的電阻，電阻的大小由實(shí)際電路決定,；
- VCC：芯片電源引腳。該引腳同時(shí)連接于啟動(dòng)電路和電源電路,。
另外,，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，穩(wěn)壓管D2應(yīng)選用15 V穩(wěn)壓管,，電容C2應(yīng)選用10μF的電解電容,；二極管D5應(yīng)選用快恢復(fù)二極管(如1N4148)；電阻R3應(yīng)選用幾百千歐的電阻,。
圖5給出了由L6562構(gòu)成的APFC電源的實(shí)際電路圖,。圖中，輸入交流電經(jīng)整流橋整流后變換為脈動(dòng)直流,，作為Boost電路的輸入,；電容C4用以濾除電感電流中的高頻信號(hào)，降低輸入電流的諧波含量,；電阻R1和R2構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò),，用以確定輸入電壓的波形與相位，電容C10用以慮除3號(hào)引腳的高頻干擾信號(hào),；Boost電感L的一個(gè)副邊繞組,，一方面通過電阻R7將電感電流過零信號(hào)傳遞到芯片的5腳,，另一方面作為芯片正常工作時(shí)的電源；芯片驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過電阻R8和R9連到MOS管的門極,；電阻R11作為電感電流檢測電阻,，用以采樣電感電流的上升沿(MOS管電流)，該電阻一端接于系統(tǒng)地,，另一端同時(shí)接在MOS管的源極,，同時(shí)經(jīng)電阻R10接至芯片的4腳；電阻R5和R6構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò),，同時(shí)形成輸出電壓的負(fù)反饋回路,；電容C9連接于芯片1、2腳之間,，以組成電壓環(huán)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),；電阻R4，電容C6,，二極管D5,，穩(wěn)壓管D6和Boost電感的副邊則共同構(gòu)成芯片電源。
3 Boost電感的設(shè)計(jì)
本設(shè)計(jì)采用AP法則來設(shè)計(jì)Boost電感,。其原理是首先根據(jù)設(shè)計(jì)要求計(jì)算所需電感：
式中,，Virms為輸入電壓有效值；Vo為輸出電壓,，fsw(min)為MOS管的最小工作頻率,，通常在20kHz以上；Pi為輸入功率,。計(jì)算要求的AP值為：
式中,，Ku為磁芯窗口利用率，Jc為電流密度,，IL(pk)為電感電流峰值,。
根據(jù)(4)式的計(jì)算結(jié)果可選擇磁芯的AP值(大于AP_req，AP=AeAw,，單位為m4),。
然后根據(jù)所選磁芯來計(jì)算原邊匝數(shù)及所需氣隙。副邊匝數(shù)一般按10：1選取,。
4 實(shí)驗(yàn)波形分析
為了驗(yàn)證以上設(shè)計(jì)的合理性,，本文設(shè)定最小輸入電壓為187 V，最大輸入電壓為264 V,，輸入頻率為50 Hz,，輸出電壓為400 V，PF=0．99，效率為87％,，輸出功率26．5 W,，最小工作頻率為65 kHz來進(jìn)行實(shí)物實(shí)驗(yàn)，同時(shí)根據(jù)計(jì)算,，并通過IL(pk)=465．3 mA來選取導(dǎo)線為mm,，Jc=4／mm2，L=2．99 mH(L=2．7 mH時(shí),，驗(yàn)證最小頻率為72 kHz>65 kHz,，可滿足設(shè)計(jì)要求)。
設(shè)Ku=0．3,，δBmax=0．3T,，由(4)式計(jì)算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
這樣，可選擇磁芯EE16／6／5,，其AP=7．5×10-10m4,，可滿足設(shè)計(jì)要求；而由(5)式計(jì)算得Np=218．1匝,，取215匝,，并驗(yàn)證δBmax=0．304T，氣隙lgap=0．41 mm,。
根據(jù)以上計(jì)算參數(shù)所搭建的試驗(yàn)?zāi)Ｐ蛠磉M(jìn)行的結(jié)果如圖6所示,。
由圖6可見，輸入電流能良好的跟隨輸入電壓,，且電流電壓相位差接近于零,，故可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的控制。另外,，MOSFET的電流是一種高頻三角波,，其包絡(luò)為輸入電壓。由于MOSFET可實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),，能有效減小開關(guān)損耗。根據(jù)測試結(jié)果,，該電路的PF可達(dá)0．998以上,，THD在5％以下。
5 結(jié)束語
本文基于L6562芯片設(shè)計(jì)了Boost高功率因數(shù)電路,，并引用AP法則設(shè)計(jì)其關(guān)鍵元器件——Boost電感,。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證，該電路啟動(dòng)電流小,，外圍元器件少,，成本低廉，能同時(shí)滿足電源系統(tǒng)重量輕，穩(wěn)定性好,，可靠性高等要求,。實(shí)驗(yàn)證明，AP法則是一種快速準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)方法,。