??? 摘 要:提出了一種基于恒流" title="恒流">恒流驅(qū)動模式的能在10V~100V寬電壓" title="寬電壓">寬電壓范圍內(nèi)工作的串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電源,這種開關(guān)電源" title="開關(guān)電源">開關(guān)電源采用MOSFET和特殊的恒流開關(guān)驅(qū)動方式,,使開關(guān)管" title="開關(guān)管">開關(guān)管在寬電壓范圍內(nèi)始終得到理想的驅(qū)動電壓,因此效率高,、工作穩(wěn)定,、成本低??蓱?yīng)用在工業(yè)用各種報警器產(chǎn)品和爆閃式信號燈中,。
??? 關(guān)鍵詞:寬電壓?恒流驅(qū)動?效率高?成本低
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??? 隨著電源市場的全球化,,一些開關(guān)電源廠商各自采用正激[1]、反激[2],、交錯并聯(lián)控制[3]等方式實現(xiàn)了90V~600V的交流電壓的寬電壓輸入,,而各種工業(yè)用電子產(chǎn)品又要求具有直流電壓的寬電壓特性,一般為12V~30V,但近年來這個范圍已經(jīng)顯得不夠?qū)?,因?2V~48V的產(chǎn)品頻頻出現(xiàn),,例如:韓國的S80S-DC、S125S-DC爆閃式信號燈和SEWN50-DC警報器等,,現(xiàn)在很多用戶開始提出10V~80V的寬電壓產(chǎn)品,。因此,研究在10V~100V范圍內(nèi)能夠穩(wěn)定工作的開關(guān)電源勢在必行,。
??? 高速大功率MOSFET生產(chǎn)技術(shù)正迅速發(fā)展,,使得MOSFET的工作頻率越來越高,并且驅(qū)動方式穩(wěn)定,,價格越來越低廉,,因此廣泛應(yīng)用在各種開關(guān)電源中。串聯(lián)直流穩(wěn)壓電源雖具有調(diào)壓范圍寬,、穩(wěn)定性好,、控制線路簡單等特點,但其調(diào)整管的功耗大,,耐壓不是很高[4],。集成電路組成的串聯(lián)式開關(guān)電源具有效率高、體積小,、使用方便等特點,,如L4960、LM2576,、K34063等,,但最大輸入電壓" title="輸入電壓">輸入電壓一般在50V以下[5-6],且由于采用固定頻率的PWM方式,,因此輸入電壓必須高于輸出電壓時才能穩(wěn)定工作,,在實際應(yīng)用中受到了一定的限制。
??? 筆者提出的開關(guān)電源采用MOSFET和特殊的恒流開關(guān)驅(qū)動方式,,使開關(guān)管在寬電壓范圍內(nèi)始終得到理想的驅(qū)動電壓,,因此效率高、工作穩(wěn)定,、成本低,。可應(yīng)用在工業(yè)用各種報警器產(chǎn)品和爆閃式信號燈中,以低成本實現(xiàn)寬電壓特性,,可提高產(chǎn)品的競爭力,。
1 通用串聯(lián)型開關(guān)電源的工作原理及優(yōu)缺點
?? 通用串聯(lián)型開關(guān)電源的框圖如圖1所示,。輸出電壓取樣后經(jīng)過誤差放大器放大后控制PWM發(fā)生器產(chǎn)生脈沖,,脈沖經(jīng)過限流電阻后驅(qū)動開關(guān)管工作。開關(guān)管導(dǎo)通時電感儲存能量的同時給濾波電容和負(fù)載同時供電,,開關(guān)管斷開時電感上儲存的能量釋放使負(fù)載得到較穩(wěn)定的連續(xù)電流,,因此這種電源在小電感下可傳輸較大的功率,但由于其輸入電壓在寬范圍內(nèi)變化,,很難選擇合適的限流電阻,。如果選擇小的限流電阻,低電壓下的驅(qū)動特性較好,,但高電壓時由于電阻上的損耗過大,、開關(guān)管過飽和使得開關(guān)特性變差;選擇大的限流電阻時,,高電壓下驅(qū)動特性較好,,但低電壓時由于開關(guān)管工作在線性區(qū)而導(dǎo)致其過熱。
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2 恒流驅(qū)動模式寬電壓輸入的串聯(lián)型開關(guān)電源
2.1電路的組成
??? 恒流驅(qū)動模式寬電壓輸入的串聯(lián)型開關(guān)電源的框圖如圖2所示,。為了在驅(qū)動級上實現(xiàn)低損耗,,必須控制驅(qū)動電流使開關(guān)管在小電流下獲得較理想的驅(qū)動波形。MOSFET是電壓控制器件,,具有高輸入阻抗,,且只需控制電壓,但具有較大的輸入電容,,大約為500pF~1500pF, 因此采用恒流驅(qū)動方式控制MOSFET進行開關(guān)時,,若不采取特殊措施,則控制脈沖邊沿特性變差,,開關(guān)損耗大,,會嚴(yán)重發(fā)熱。
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??? 圖3為實際電路圖,。由Q4,、Q3、R6組成施密特比較器,,產(chǎn)生開關(guān)信號,。由D5、D6,、R3,、R1、D1組成的電路使施密特比較器工作在恒流狀態(tài)下,,C4加速電容使脈沖下降沿非常陡,。由Q2,、R2、D3組成驅(qū)動級保證MOSFET迅速開關(guān),,C3起軟驅(qū)動作用,上電時通過R1對C3充電,,G點的電壓逐漸上升,Q3的輸出電流也逐漸增大。
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2.2 恒流驅(qū)動模式的工作原理
??? 通常組成施密特比較器的Q4,、Q3都工作在開關(guān)方式,,而圖3中Q4是按開關(guān)方式工作,Q3則工作在放大區(qū)和截止區(qū),。當(dāng)Q4截止時,,由于D5、D6的存在,,使Q3進入恒流狀態(tài),,輸出電流由式(1)決定。為了得到較好的驅(qū)動波形,,把本電路的恒流電流設(shè)定為10mA,則該電流在R2兩端產(chǎn)生的壓降就是場效應(yīng)管的柵-源電壓VGS,,設(shè)定為10V,使MOSFET飽和導(dǎo)通,。
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??? 圖3中VF≈1V,施密特比較器的兩個比較點電壓分別為VH和VL,,由式(2)和式(3)決定。
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??? 由于加速電容C4的作用,實際工作時,,MOSFET的柵-源極輸入脈沖的下降沿非常陡,,且又由于柵-源極輸入電容的作用,使VGS 波形具有一定的斜率,,這有利于MOSFET的飽和導(dǎo)通,。圖4為驅(qū)動波形。
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??? 圖5為當(dāng)輸出電壓為10V,、電流為2A時,,在不同輸入電壓狀態(tài)下,圖3中A點和B點的實測波形,。由圖5可知,當(dāng)輸入電壓為13V時,,MOSFET關(guān)斷時間很短,當(dāng)輸入電壓為10V時,MOSFET則一直導(dǎo)通,。
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2.3 MOSFET驅(qū)動級的工作原理
??? 由Q2,、R2、D3組成驅(qū)動級,,使MOSFET迅速關(guān)閉,。Q3在恒流源狀態(tài)工作時由于C4的作用,下拉的驅(qū)動能力很強,下拉時D3導(dǎo)通使Q1迅速飽和,。上拉能力取決于R2,如果不加Q2直接驅(qū)動Q1,,則由于Q1的輸入電容,脈沖的上升沿較緩慢,Q1不能迅速截止,,因此加Q2的作用是提高上拉能力,,使Q1迅速截止。
2.4 恒流源的動態(tài)特性
??? 由圖5可以看出,恒流源在輸入不同電壓時,,在R2兩端產(chǎn)生的電壓VGS應(yīng)始終保持10V左右,,以保證在寬電壓范圍內(nèi)可靠工作,。為了驗證快速動態(tài)跟蹤性能,,在輸入端上加了50Hz、60V的交流電壓,,圖6為當(dāng)輸入電壓為交流時,,圖3中A、B點及VG S的工作波形,。從中可以看出,,當(dāng)輸入電壓在很大范圍內(nèi)改變時,VG S 近似保持在10V左右,,即圖中陰影帶部分,。
??? 實驗結(jié)果表明,采用MOSFET和特殊的恒流開關(guān)驅(qū)動方式的開關(guān)電源,能夠使開關(guān)管在10V~100V寬電壓范圍內(nèi)始終得到理想的驅(qū)動電壓,,因此效率高,、工作穩(wěn)定、電路簡單,。
參考文獻(xiàn)
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?44-48.
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