1．驅(qū)動IC產(chǎn)品范圍
IR公司為用戶提供多種從單相到三相橋的驅(qū)動集成電路,。所有類型都使用了高集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),，簡化了邏輯電路對功率MOS管的控制,。最新產(chǎn)品已擴展到具有驅(qū)動1200V功率器件的能力,。
作為前沿技術(shù)，要求能在更高速度下開關(guān)更大的電流,，雜散參數(shù)的不利影響日趨明顯和受到高度重視,。本文的目的是找出它們的根源，量化驅(qū)動IC對可能引起問題的免疫力,，最后,，如何獲得最大的安全區(qū)。
2．橋式電路中的雜散元素
圖1描述了一個驅(qū)動IC驅(qū)動由兩個MOSFET組成的典型橋式電路,，功率電路中,，由器件內(nèi)部的連線、引腳和PCB線組成的無用電感統(tǒng)一用LS1.2和LD1.2表示,。
另外還有柵極驅(qū)動電路中的雜散參數(shù)，在布線路板時也應(yīng)考慮,。在此我們將主要討論有最大的電流和di/dt發(fā)生的橋式電路本身,。在開關(guān)期間，橋式電路中快速變化的電流將會在雜散電感中產(chǎn)生電壓瞬變,。這些瞬變會耦合到其它電路中引起噪聲問題,，增加開關(guān)損耗，甚至在最壞情況下?lián)p壞IC,。
3．VS負過沖原因
由于問題是由散電感引起的,，隨著器件的開關(guān)，對驅(qū)動IC來說，最主要的問題是VS會負過沖到參考地以下,。
相反,，正過沖一般不會出現(xiàn)問題，IR公司已經(jīng)驗證的HVIC工藝具有耐高電壓能力,。
當(dāng)橋電路負載為感性時,，高端器件的關(guān)斷會引起負載電流突然轉(zhuǎn)換到低端的續(xù)流二極管，由于二極管開通延遲,，正向壓降和雜散電感LS1+LD1使VS點負過沖到參考地以下,，如圖1所示。在死區(qū)時間內(nèi),，如果負載電路不能完全恢復(fù),，當(dāng)?shù)投似骷查_通時，會發(fā)生VS負過沖或振蕩,。
4．VS負過沖對驅(qū)動IC的影響
IR公司的驅(qū)動IC保證,，相對于COM，VS至少有5V的負過沖能力,，如果負過沖超過這個水平,，高端輸出將暫時鎖定在其電流狀態(tài)，VS保持在絕對最大極限內(nèi),，IC將不會損壞,。當(dāng)負過沖起過5V后，高端輸出將不響應(yīng)輸入控制信號,。這種模式應(yīng)當(dāng)注意,，但在大多應(yīng)用中是可以忽略的，因為隨著開關(guān)事件的發(fā)生,，高端通常不要求很快改變狀態(tài),。
5．如何避免鎖定
附錄1顯示了驅(qū)動IC的內(nèi)部典型寄生二極管結(jié)構(gòu)。對于任何CMOS器件,，使這些二極管正向?qū)ɑ蚍聪驌舸┒紩鸺纳目煽鼐чl管(SCR)鎖定,，鎖定的最終后果難以預(yù)料，有可能暫時錯誤地工作到完全損壞器件,。
驅(qū)動IC 也許會間接地被最初的過應(yīng)力引起的連鎖反應(yīng)損壞,，例如，可想到鎖定會使兩路輸出為高,，造成橋臂直通,，從而損壞器件，然后損壞IC,。這種失敗模式可能是應(yīng)用中引起驅(qū)動IC和功率器件損壞的主要原因,。
下面理論分析可以幫助解釋VS負過沖和鎖定機理的關(guān)系,。
&nbs p; 第一種情況：“理想的自舉”電路中，VCC由一個零阻抗電源供電,，并由一個理想的二極管給VB供電,。如圖2，負過沖將引起自舉電容過充電,。例如,，如果VCC=15V，VS負過沖超過10V時,，將使懸浮電源達到25V以上,，可能會擊穿二極管D1，并進一步引起鎖定,。
現(xiàn)在假設(shè)自舉電源用一個理想的懸浮電源代替,，如圖3，VBS將在所有環(huán)境都是固定的,。注意,，只有使用低阻抗輔助電源代替才能實現(xiàn)這個目的。
這種情況下,，如果VS負過沖超過VBS,，即VB低于COM，可能會因為寄生二極管D2導(dǎo)通而出現(xiàn)鎖定危險,。
實際電路可能會出現(xiàn)在這兩種極端情況之間,，而VBS有一些增加和有時VB降到VCC以下，如圖4所示,。
6．監(jiān)測和證實
下列信號可以在正常工作時,，和高應(yīng)力下（如短路或過流關(guān)斷，di/dt最高）觀察到,。應(yīng)該在IC管腳根部測量,，如圖5。這樣驅(qū)動回路的寄生參數(shù)影響也被測量到,。
測量證實負過沖的嚴重性,。
（1） 高端相對于公共端的偏移；VS-COM,；
（2） 懸浮電源,；VB-VS
多數(shù)橋電路使用上百伏電壓，就是說應(yīng)選擇Y軸較遲鈍的示波器以防止輸入放大器飽和,，這將使相對較小的VS負過沖很難量化,。為了得到最佳分辨率,，請閱讀示波器手冊,，選擇最高的可利用的靈敏度,。
為了測量第二個信號，該信號始終附加在變化的橋電壓上,，因此要使用變 壓器將示波器懸浮起來,，但是不建議用這種方法。因為容性負載將影響電路性能,，有時會掩蓋問題根本原因而由于不注意而減小了dv/dt,。
高帶寬差分電壓探頭（或隔離的差分輸入示波器）可以得到很好的結(jié)果，同時又允許觀測其它地為參考點的信號,。然而,，當(dāng)比較差分探頭和常規(guī)探頭相對時間時，應(yīng)注意延遲時間的差異,。
高端信號（Vb,、HO）的共模噪聲可以將探頭正端和探頭地端共同接到VS點測到。
不要認為低端沒有共模噪音,，同樣可以將探頭和地端一起接到COM點測到,。
7．一般建議
下列建議在使用驅(qū)動電路是很好的實踐和證明，無論觀察到的鎖定安全區(qū)如何,。
最小化圖1中的雜質(zhì)參數(shù)：
1a,、使用寬線直接連接兩個器件，不要有環(huán)路和遠離,；
1b,、避免互相連接，這會增加很大電感,；
1c,、降低器件安裝高度，以減小管腳電感影響,；
1d,、兩個功率器件并排放置，減小線長度,。
減小驅(qū)動IC雜數(shù)電感：
2a,、如圖6所示連接VS和COM；
2b,、使用 短的直接連線減小門極電路雜散電感,；
2c、驅(qū)動IC距離功率器件越近越好,。
改善耦合
3a,、提高自舉電容（Cb）值，至少使用一個低ESR電容,，減小由于VS負
過沖而產(chǎn)生的過充電,。
3b,、在VCC和COM間使用第二個低ESR電容，這個電容為低端輸出緩沖
電路和自舉電路再充電推供電源,，
建議該值至少是Cb的十倍,。
3c、盡量將去耦電容靠近相應(yīng)的管腳,，如圖7,。
3d、如果需要在自舉二極管中串聯(lián)電阻,，要確保VB不會降到COM以下,，
特別是在啟動時和極端頻率和占空比下。
適當(dāng)?shù)睦蒙鲜鐾扑]方法,，可以從根本最小化VS負過沖的影響,，如果負過沖水平仍然很高，就應(yīng)考慮減小dv/dt了,。
也許可以用外部吸收電路或增加?xùn)艠O驅(qū)動電阻來折衰效率和開關(guān)速率,。如果系統(tǒng)不能允許，應(yīng)適當(dāng)考慮快速反并聯(lián)嵌位二極管,，HEXFRED是理想的選擇,。
8．提升VS負過沖免疫力
在最壞條件下，如果主要信號在確定的極限值內(nèi),，就不再需要采取措施,。然而，在噪聲非常大的環(huán)境中,，采用上面措施,，VS負過沖仍然超過，就需要進一步提高驅(qū)動IC的容錯能力,。我們推薦兩種不同方法來改善負過沖免疫力,。
方法A：
在VS腳到橋電路中點串聯(lián)電阻，限制當(dāng)負過沖時流入VS腳的電流,。當(dāng)電阻為或更低時是可以的,。
既然自舉電容充電經(jīng)過此電阻，如圖8,，如果此電阻值過大,，可能在啟動時引起直通發(fā)生。如果有柵極電阻,，柵極電阻應(yīng)減小,，以保證高端和低端柵極電阻相等。
方法B：
另外一個方法是：在COM和低端器件源極或發(fā)射極加入一個電阻,，如圖9,，而自舉電容充電不經(jīng)過此電阻,，這種方法較靈活，可選擇較大的電阻并提供很好的保護,。
這個電阻可限制流入600V二極管D2的電流（圖3），同樣,，驅(qū)動的對稱性要求高低端柵極電阻相等,，所以低端柵極電阻應(yīng)適應(yīng)減小以滿足要求。
注意：
& nbsp;
當(dāng)使用的驅(qū)動IC沒有分開的邏輯地時,，例如有些IC的輸入和輸出共享一個地COM,，上述討論的兩種方法都可以應(yīng)用，然而應(yīng)注意并確保輸入邏輯在允許電平內(nèi),。
9．附錄1 : IR2110寄生二極管結(jié)構(gòu)
圖10是IR2110的寄生二極管結(jié)構(gòu)圖,，這基本體現(xiàn)了絕對最大額定值表。IR2110有獨立邏輯地和輸出地,，在某些驅(qū)動IC中,，由于管腳的限制，這兩個地合并為一個,。
