據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道——高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723,，以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品——RJK0210DPA,、RJK0211DPA和RJK0212DPA,。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件,，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。

    本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路,。例如,，可作為降壓電路,，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V,，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)第12代生產(chǎn)工藝的小型化,，瑞薩電子的新型MOSFET將FOM（品質(zhì)因數(shù)=導(dǎo)通電阻×柵極電荷）在公司現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上降低了約40%,，這使電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗大幅降低，從而實(shí)現(xiàn)了更高的DC/DC轉(zhuǎn)換器性能,。

    隨著信息與通信產(chǎn)品（如服務(wù)器,、筆記本電腦和圖形卡等）性能的不斷提升,，其所需的功耗也在不斷增加。與此同時(shí),，不斷降低元件（如CPU,、圖形處理單元（GPU）、存儲(chǔ)器,、ASIC）工作電壓的發(fā)展趨勢(shì)又導(dǎo)致了電流的增加,。這樣就需要DC/DC轉(zhuǎn)換器能夠處理低壓和大電流。除此之外,，日益增長(zhǎng)的節(jié)能環(huán)保需求,，也提出了降低電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗與提高轉(zhuǎn)換效率的要求。而瑞薩電子本次所推出的3款第12代功率MOSFET產(chǎn)品因其領(lǐng)先于業(yè)內(nèi)的性能與降低約40%的FOM,，滿足了上述需求,。

     新產(chǎn)品所具有的25V電壓容差（VDSS）為RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分別實(shí)現(xiàn)了40A,、30A和25A的最大電流（ID）,。另外，新產(chǎn)品的總品度值（VGS = 4.5V時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)值）分別為6.84mΩ?nC,、7.83mΩ?nC和7.2 mΩ?nC,，這比瑞薩電子第10代功率MOSFET（在用作控制功率MOSFET時(shí)，其提供了比第11代產(chǎn)品更好的總品度值）降低了約40%,。

    此外,，新產(chǎn)品的柵-漏電荷電容（Qgd），即控制功率MOSFET的主要特性分別為1.2nC,、0.9nC和0.6nC,，也比瑞薩電子第10代功率MOSFET（利用相同的導(dǎo)通電阻進(jìn)行測(cè)量時(shí)）低了約40%。該數(shù)值越小表明開關(guān)損耗越低,，則更有助于大幅提升DC/DC轉(zhuǎn)換器性能和提高能效,。

    通常，DC/DC轉(zhuǎn)換器具有2個(gè)功率MOSFET：一個(gè)用于控制,，另一個(gè)則用于實(shí)現(xiàn)同步整流,。它們輪流開關(guān)以進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。假設(shè)新型RJK0210DPA用于實(shí)現(xiàn)控制,，同時(shí)將瑞薩電子第11代RJK0208DPA用于實(shí)現(xiàn)同步整流,，那么在將電壓從12V轉(zhuǎn)換為1.05V時(shí)，其最高功率轉(zhuǎn)換效率則可實(shí)現(xiàn)90.6%（在輸出電流為18A的情況下）和86.6%（在輸出電流為40A的情況下）,。（這2個(gè)數(shù)值均基于300kHz的開關(guān)頻率和兩相配置,。）

    新產(chǎn)品采用具有出色散熱特性、尺寸為5.1 × 6.1 mm,、厚0.8mm（最大值）的WPAK（瑞薩電子封裝編號(hào)）封裝,。同時(shí),，器件下面所裝有的壓料墊，能夠在功率MOSFET工作時(shí)將其產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至印刷電路板,，并且使功率MOSFET能夠處理大電流,。

    今后，瑞薩電子還將不斷開發(fā)適于各類DC/DC轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體產(chǎn)品,，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗和高效率,，并為開發(fā)出更小巧、更節(jié)能的系統(tǒng)做出貢獻(xiàn),。

注釋1：FOM（品質(zhì)因數(shù)）：FOM是功率MOSFET公認(rèn)的性能和效率指標(biāo),。導(dǎo)通電阻（Ron）是功率MOSFET工作時(shí)的電阻。該數(shù)值越小則表明傳導(dǎo)損耗越低,。柵-漏電荷電容是讓功率MOSFET運(yùn)行所需的電荷,。該數(shù)值越小則表明開關(guān)性能越高。

價(jià)格與供貨情況

    目前,，瑞薩電子的新型RJK0210DPA,、RJK0211DPA和RJK0212DPA功率MOSFET樣品已開始提供，其單價(jià)分別為0.55,、0.46和0.38美元,。新產(chǎn)品計(jì)劃于2010年12月開始批量生產(chǎn)，并預(yù)計(jì)在2011年7月達(dá)到月產(chǎn)量約200萬(wàn)個(gè),。

（價(jià)格與供貨情況如有變更,，恕不另行通知。）

欲了解瑞薩電子新型功率MOSFET的主要規(guī)格,，敬請(qǐng)參照獨(dú)立數(shù)據(jù)表,。

* 其它所有注冊(cè)商標(biāo)或商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

關(guān)于瑞薩電子

瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）作為全球首屈一指的MCU（微控制器）供應(yīng)商,，也是先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案的首選供應(yīng)商,，產(chǎn)品包括MCU、SoC解決方案和廣泛的模擬及電源器件,。自2010年4月,，NEC電子株式會(huì)社（TSE：6723）與株式會(huì)社瑞薩科技整合之后，瑞薩電子開始正式運(yùn)營(yíng),，其業(yè)務(wù)覆蓋了面向各種應(yīng)用的研究,、開發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn),。瑞薩電子總部位于日本,，在全球20個(gè)國(guó)家設(shè)有分公司。欲了解更多信息,，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.renesas.com,。

獨(dú)立數(shù)據(jù)表

第12代功率MOSFET產(chǎn)品規(guī)范

Ta = 25°C

■參考圖

利用新型RJK0210DPA進(jìn)行控制的電壓轉(zhuǎn)換電路和采用RJK0365DPA-02第10代功率MOSFET的電壓轉(zhuǎn)換電路的電壓轉(zhuǎn)換效率對(duì)比。（在這兩種情況下,，RJK0208DPA均用作同步整流器功率MOSFET,。）