摘要：為解決直流逆變交流的問(wèn)題,，有效地利用能源，讓電源輸出最大功率,，設(shè)計(jì)了高性能的基于IR2101最大功率跟蹤逆變器,，并以SPMC75F2413A單片機(jī)作為主控制器。高電壓,、高速功率的MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)器IR2101采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),，同時(shí)上管采用外部自舉電容上電，能夠穩(wěn)定高效地驅(qū)動(dòng)MOS管,。該逆變器可以實(shí)現(xiàn)DC/AC的轉(zhuǎn)換,，最大功率點(diǎn)的跟蹤等功能。實(shí)際測(cè)試結(jié)果表明,，該逆變器系統(tǒng)具有跟蹤能力強(qiáng),，穩(wěn)定性高，反應(yīng)靈敏等特點(diǎn)，該逆變器不僅可應(yīng)用于普通的電源逆變系統(tǒng),，而且可應(yīng)用于光伏并網(wǎng)發(fā)電的逆變系統(tǒng),，具有廣泛的市場(chǎng)前景。
隨著工業(yè)和科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,，對(duì)電能質(zhì)量的要求將越來(lái)越高,，包括市電電網(wǎng)在內(nèi)的原始電能的質(zhì)量可能滿足不了設(shè)備要求，必須經(jīng)過(guò)電力電子裝置變換后才能使用,，而DC／AC逆變技術(shù)在這種變換中將起到重要的作用,。根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)，逆變器的選型安裝越來(lái)越傾向于小型化,、智能化,、模塊化等方向發(fā)展，其控制電路主要采用數(shù)字控制,，系統(tǒng)的安全性,，可靠性以及擴(kuò)展性，同時(shí)將各個(gè)完善的保護(hù)電路考慮其中,。因此,，這里提出一種基于IR2101的最大功率跟蹤逆變器設(shè)計(jì)方案。
1 IR2101簡(jiǎn)介
IR2101是雙通道,、柵極驅(qū)動(dòng),、高壓高速功率驅(qū)動(dòng)器，該器件采用了高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求,，同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。同時(shí)上管采用外部自舉電容上電,，使驅(qū)動(dòng)電源數(shù)目較其他IC驅(qū)動(dòng)大大減少,，在工程上減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目，降低了產(chǎn)品成本,，提高了系統(tǒng)可靠性,。
IR2101采用HVIC和閂鎖抗干擾制造工藝，集成DIP,、SOIC封裝,。其主要特性包括：懸浮通道電源采用自舉電路；功率器件柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍10～20 V,；邏輯電源范圍5～20 V,，而且邏輯電源地和功率地之間允許+5 V的偏移量；帶有下拉電阻的CNOS施密特輸入端,，方便與LSTTL和CMOS電平匹配,；獨(dú)立的低端和高端輸入通道,。IR2101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。
圖1 IR2101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
圖1中,，HIN為邏輯輸入高,；LIN為邏輯輸入低；VB為高端浮動(dòng)供應(yīng),；HO為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器輸出,；Vs為高端浮動(dòng)供應(yīng)返回；Voc為電源,；LO為低邊柵極驅(qū)動(dòng)器輸出,；COM為公共端。
2 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)功能需求,，其硬件組成框圖如圖2所示,。該系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)是由SPMC75F2413A單片機(jī)主控制器模塊、外部供能系統(tǒng)（普通或光伏）,、斬波電路模塊,、IR2101逆變電路模塊和最大功率跟蹤外部電路模塊組成。通過(guò)最大功率跟蹤外部電路模塊檢測(cè)外部電壓,，將檢測(cè)值返回到SPMC75F2413A主控制器中,。斬波電路模塊通過(guò)主控制器對(duì)其控制，實(shí)現(xiàn)最大功率跟蹤,。外部供能系統(tǒng)是為各個(gè)模塊提供電源,。IR2101逆變電路模塊主要實(shí)現(xiàn)DC／AC的轉(zhuǎn)換，并由斬波電路為其提供最大功率點(diǎn)的電能,。
圖2 系統(tǒng)硬件總體設(shè)計(jì)框圖
圖2中的SPMC75F2413A單片機(jī)正常工作電壓為5 V,。但是其他模塊所加的電壓不同，斬波電路模塊與IR2101逆變電路模塊所加的電壓為15 V,。因?yàn)镮R2101的正常工作電壓為10～20V,。
2．1 IR2101逆變電路
IR2101逆變電路原理圖如圖3所示，H1,、H2為IR2101集成驅(qū)動(dòng)芯片,，VQ1,、VQ2,、VQ3、VQ4為MOS管,，Up,、Un、Vp,、Vn是SPMC75F2413A單片機(jī)中輸出的兩相四路PWM波,。其中Up、Un是一相PWM波的上下臂，Vp,、Vn為另一相PWM波的上下臂,，由于單片機(jī)中輸出的PWM波不能驅(qū)動(dòng)大功率MOS管，因此利用IR2101的電容自舉功能,，通過(guò)二極管VD1,、VD2（采用肖特基管所具有的快恢復(fù)功能，提升電容充電電壓,，關(guān)斷過(guò)程減少消耗能量）對(duì)自舉電容C1,、C2進(jìn)行充電，以此提升驅(qū)動(dòng)MOS管的信號(hào)電壓,，使其具有擴(kuò)大信號(hào)輸出的功能,，擴(kuò)大后的信號(hào)PWM波就能有序地控制VQ-1、VQ2,、VQ3,、VQ4的通斷，在逆變電路中同一相的上下臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是互補(bǔ),。
圖3 IR2101逆變電路原理圖
當(dāng)Up輸入高時(shí),，HO輸出也為高，通過(guò)IR2101的電容自舉功能,，就能控制VQ1導(dǎo)通,，此時(shí)由于LO輸出為低，不能驅(qū)動(dòng)VQ2,，因此VQ2處于關(guān)斷狀態(tài),，同時(shí)Vp也輸入一個(gè)高電平，即HO為高,，使VQ4處于導(dǎo)通狀態(tài),，而此時(shí)VQ3處于關(guān)斷狀態(tài)，因此T1→VQ1→R5（負(fù)載）→VQ4→GND形成一個(gè)通路,。反之,，當(dāng)Up、Vp為低電平,，Un,、Vn為高電平時(shí)，即電流的主要流向?yàn)門1→VQ3→R5（負(fù)載）→VQ2→GND,，4個(gè)MOS管開關(guān)器件有序地交替通斷,，進(jìn)而在R5（負(fù)載）處形成了交流電。在實(shí)際應(yīng)用中為了防止上下臂同時(shí)導(dǎo)通而造成短路,，在軟件設(shè)計(jì)的過(guò)程中,，添加了死區(qū)時(shí)間,，來(lái)保護(hù)整個(gè)電路。
摘要：為解決直流逆變交流的問(wèn)題,，有效地利用能源,，讓電源輸出最大功率，設(shè)計(jì)了高性能的基于IR2101最大功率跟蹤逆變器,，并以SPMC75F2413A單片機(jī)作為主控制器,。高電壓、高速功率的MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)器IR2101采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),，同時(shí)上管采用外部自舉電容上電,，能夠穩(wěn)定高效地驅(qū)動(dòng)MOS管。該逆變器可以實(shí)現(xiàn)DC/AC的轉(zhuǎn)換,，最大功率點(diǎn)的跟蹤等功能,。實(shí)際測(cè)試結(jié)果表明，該逆變器系統(tǒng)具有跟蹤能力強(qiáng),，穩(wěn)定性高,，反應(yīng)靈敏等特點(diǎn)，該逆變器不僅可應(yīng)用于普通的電源逆變系統(tǒng),，而且可應(yīng)用于光伏并網(wǎng)發(fā)電的逆變系統(tǒng),，具有廣泛的市場(chǎng)前景。
隨著工業(yè)和科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,，對(duì)電能質(zhì)量的要求將越來(lái)越高,，包括市電電網(wǎng)在內(nèi)的原始電能的質(zhì)量可能滿足不了設(shè)備要求，必須經(jīng)過(guò)電力電子裝置變換后才能使用,，而DC／AC逆變技術(shù)在這種變換中將起到重要的作用,。根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)，逆變器的選型安裝越來(lái)越傾向于小型化,、智能化,、模塊化等方向發(fā)展，其控制電路主要采用數(shù)字控制,，系統(tǒng)的安全性,，可靠性以及擴(kuò)展性，同時(shí)將各個(gè)完善的保護(hù)電路考慮其中,。因此,，這里提出一種基于IR2101的最大功率跟蹤逆變器設(shè)計(jì)方案。
1 IR2101簡(jiǎn)介
IR2101是雙通道,、柵極驅(qū)動(dòng),、高壓高速功率驅(qū)動(dòng)器，該器件采用了高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求,，同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。同時(shí)上管采用外部自舉電容上電,，使驅(qū)動(dòng)電源數(shù)目較其他IC驅(qū)動(dòng)大大減少,，在工程上減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目，降低了產(chǎn)品成本,，提高了系統(tǒng)可靠性,。
IR2101采用HVIC和閂鎖抗干擾制造工藝，集成DIP,、SOIC封裝,。其主要特性包括：懸浮通道電源采用自舉電路；功率器件柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍10～20 V,；邏輯電源范圍5～20 V,，而且邏輯電源地和功率地之間允許+5 V的偏移量；帶有下拉電阻的CNOS施密特輸入端,，方便與LSTTL和CMOS電平匹配,；獨(dú)立的低端和高端輸入通道。IR2101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,。
圖1 IR2101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
圖1中,，HIN為邏輯輸入高；LIN為邏輯輸入低,；VB為高端浮動(dòng)供應(yīng),；HO為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器輸出；Vs為高端浮動(dòng)供應(yīng)返回,；Voc為電源,；LO為低邊柵極驅(qū)動(dòng)器輸出；COM為公共端,。
2 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)功能需求,，其硬件組成框圖如圖2所示。該系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)是由SPMC75F2413A單片機(jī)主控制器模塊,、外部供能系統(tǒng)（普通或光伏）,、斬波電路模塊、IR2101逆變電路模塊和最大功率跟蹤外部電路模塊組成,。通過(guò)最大功率跟蹤外部電路模塊檢測(cè)外部電壓,，將檢測(cè)值返回到SPMC75F2413A主控制器中。斬波電路模塊通過(guò)主控制器對(duì)其控制,，實(shí)現(xiàn)最大功率跟蹤,。外部供能系統(tǒng)是為各個(gè)模塊提供電源。IR2101逆變電路模塊主要實(shí)現(xiàn)DC／AC的轉(zhuǎn)換,，并由斬波電路為其提供最大功率點(diǎn)的電能,。
圖2 系統(tǒng)硬件總體設(shè)計(jì)框圖
圖2中的SPMC75F2413A單片機(jī)正常工作電壓為5 V,。但是其他模塊所加的電壓不同，斬波電路模塊與IR2101逆變電路模塊所加的電壓為15 V,。因?yàn)镮R2101的正常工作電壓為10～20V,。
2．1 IR2101逆變電路
IR2101逆變電路原理圖如圖3所示，H1,、H2為IR2101集成驅(qū)動(dòng)芯片,，VQ1、VQ2,、VQ3,、VQ4為MOS管，Up,、Un,、Vp、Vn是SPMC75F2413A單片機(jī)中輸出的兩相四路PWM波,。其中Up,、Un是一相PWM波的上下臂，Vp,、Vn為另一相PWM波的上下臂,，由于單片機(jī)中輸出的PWM波不能驅(qū)動(dòng)大功率MOS管，因此利用IR2101的電容自舉功能,，通過(guò)二極管VD1,、VD2（采用肖特基管所具有的快恢復(fù)功能，提升電容充電電壓,，關(guān)斷過(guò)程減少消耗能量）對(duì)自舉電容C1,、C2進(jìn)行充電，以此提升驅(qū)動(dòng)MOS管的信號(hào)電壓,，使其具有擴(kuò)大信號(hào)輸出的功能,，擴(kuò)大后的信號(hào)PWM波就能有序地控制VQ-1、VQ2,、VQ3,、VQ4的通斷，在逆變電路中同一相的上下臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是互補(bǔ),。
圖3 IR2101逆變電路原理圖
當(dāng)Up輸入高時(shí),，HO輸出也為高，通過(guò)IR2101的電容自舉功能,，就能控制VQ1導(dǎo)通,，此時(shí)由于LO輸出為低，不能驅(qū)動(dòng)VQ2，因此VQ2處于關(guān)斷狀態(tài),，同時(shí)Vp也輸入一個(gè)高電平,，即HO為高，使VQ4處于導(dǎo)通狀態(tài),，而此時(shí)VQ3處于關(guān)斷狀態(tài),，因此T1→VQ1→R5（負(fù)載）→VQ4→GND形成一個(gè)通路,。反之,，當(dāng)Up、Vp為低電平,，Un,、Vn為高電平時(shí)，即電流的主要流向?yàn)門1→VQ3→R5（負(fù)載）→VQ2→GND,，4個(gè)MOS管開關(guān)器件有序地交替通斷,，進(jìn)而在R5（負(fù)載）處形成了交流電。在實(shí)際應(yīng)用中為了防止上下臂同時(shí)導(dǎo)通而造成短路,，在軟件設(shè)計(jì)的過(guò)程中,，添加了死區(qū)時(shí)間，來(lái)保護(hù)整個(gè)電路,。
2．2 斬波電路
斬波電路原理圖如圖4所示,，該電路主要用于進(jìn)行最大功率跟蹤，其電源為獨(dú)立電壓源,，R6（30 Ω／30 W）為功率電阻,，其主要作為電源內(nèi)阻，R7,、R8是為了檢測(cè)負(fù)載端的電壓值而形成的分壓電路,，通過(guò)Ud1進(jìn)行檢測(cè)，將檢測(cè)結(jié)果返回到單片機(jī)中進(jìn)行處理,，通過(guò)調(diào)節(jié)PWM波的占空比,，進(jìn)而控制VQ5開啟與關(guān)斷的時(shí)間。當(dāng)檢測(cè)到Ud1X（R7+R8）／R8的值大于一半時(shí),，單片機(jī)就會(huì)將斬波電路的占空比調(diào)大,，讓其通過(guò)的電壓增大，進(jìn)而使其值接近光伏電池的一半,，如果檢測(cè)到其值小于一半的時(shí)候,，會(huì)將占空比調(diào)小，讓其通過(guò)的電壓變小,，這樣通過(guò)跟蹤電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率的跟蹤功能,。
圖4 斬波電路原理圖
2．3 最大功率跟蹤模型分析
本設(shè)計(jì)為了實(shí)現(xiàn)最大功率的跟蹤模型，如圖5所示電路,，使得內(nèi)阻R8和外阻Rb相等,，Ud的電壓為電池電源的一半就可以得到電池輸出功率最大了,，這種情況應(yīng)用于線性電路中，但是在非線性電路中也可以利用這個(gè)原理,，本項(xiàng)目通過(guò)電壓跟蹤的功能,，實(shí)現(xiàn)最大功率的跟蹤，主要通過(guò)調(diào)節(jié)PWM波的占空比大小實(shí)現(xiàn)本功能,。
圖5 最大功率的跟蹤模型
3 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)
A／D采樣函數(shù)流程圖如圖6所示,，此函數(shù)主要是用于采集負(fù)載端的的電壓值，最后轉(zhuǎn)換為幅度調(diào)制系數(shù),。本此函數(shù)中使用了CMT0定時(shí)器中斷,，在此中斷中進(jìn)行了A／D采樣，將采集的電壓值與換算后的電源電壓中點(diǎn)值Vmid（見圖4,，即利用R7,、R8組成分壓電路，R7：R8=9：1）,，進(jìn)行比較,，當(dāng)差值的絕對(duì)值大于100的時(shí)候，判斷為采集值出現(xiàn)異常,，強(qiáng)制將電源電壓轉(zhuǎn)換后的中點(diǎn)值轉(zhuǎn)換為幅度調(diào)制系數(shù),，當(dāng)二者之間的差值的絕對(duì)值小于100時(shí)，將差值加到Vmid上,，然后再轉(zhuǎn)換為幅度調(diào)制系數(shù),，最后返回中斷。
圖6 A／D采樣函數(shù)流程圖
在本函數(shù)中斬波電路的PWM中斷使用了TPM2中斷,，在此中斷中使用了幅度調(diào)制系數(shù)去調(diào)節(jié)斬波電路的PWM波的占空比,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電壓的跟蹤功能，最終是實(shí)現(xiàn)最大功率的跟蹤,。斬波電路PWM中斷子函數(shù)流程圖如圖7所示,。
圖7 斬波電路PWM中斷子函數(shù)流程圖
4 最大功率測(cè)試結(jié)果
對(duì)斬波電路后的J2點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的，將J2點(diǎn)處接1個(gè)30 W／30 Ω的功率電阻作為負(fù)載,，測(cè)試出表1中的各項(xiàng)數(shù)據(jù),。
表1 測(cè)試結(jié)果
5 結(jié)束語(yǔ)
本設(shè)計(jì)方案采用具有出色性能的定時(shí)器PWM信號(hào)發(fā)生器組的16位結(jié)構(gòu)的微處理器SPMC75F2413A單片機(jī)進(jìn)行設(shè)計(jì)，主要利用了此單片機(jī)的PWM信號(hào)發(fā)生器組產(chǎn)生控制逆變電路和斬波電路的PWM波,，還利用了IR2101的自舉功能,，對(duì)功率MOS管進(jìn)行有序驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)逆變,，控制斬波電路的PWM波占空比,，實(shí)現(xiàn)了最大功率的跟蹤逆變器的設(shè)計(jì)。通過(guò)驗(yàn)證，輸出的正弦交流信號(hào)十分明顯,，并具有最大功率的跟蹤功能,。