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消息稱三星計(jì)劃量產(chǎn)的1c DRAM使用MOR光刻膠

4 月 30 日消息,，根據(jù)韓媒 TheElec 報(bào)道,，三星正在考慮在其下一代 DRAM 極紫外（EUV）光刻工藝中應(yīng)用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）,。

發(fā)表于：2024/4/30

意大利計(jì)劃2024年落實(shí)近百億歐元投資半導(dǎo)體制造

4 月 29 日消息，據(jù)意大利大型通訊社安莎社報(bào)道,，意工業(yè)部長(zhǎng)阿道夫?烏爾索（Adolfo Urso）近日在意大利外國(guó)直接投資會(huì)議上表示，意大利渴望成為歐洲最大的微電子設(shè)備生產(chǎn)國(guó)之一,。烏爾索稱,，意大利政府計(jì)劃全面實(shí)施微電子產(chǎn)業(yè)計(jì)劃，年內(nèi)完成價(jià)值近一百億歐元規(guī)模的半導(dǎo)體投資協(xié)議談判,。今年以來(lái),，意大利已吸引了兩個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶：

發(fā)表于：2024/4/30

美四大運(yùn)營(yíng)商因非法出售客戶位置信息被罰1.96億美元

4 月 30 日消息，美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)（FCC）今天發(fā)布公告,，宣布對(duì) AT&T,、Verizon 和 Sprint / T-Mobile 處以總計(jì) 1.96 億美元

發(fā)表于：2024/4/30

京元電出售子公司退出中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)

全球知名外包半導(dǎo)體組裝和測(cè)試承包商京元電子（KYEC）近日宣布將出售其位于中國(guó)蘇州的子公司金龍科技的股份，并全面退出中國(guó)大陸市場(chǎng),。京元電子股份有限公司1987 年創(chuàng)立于臺(tái)灣,，是中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)一家半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)，為全球第二大的半導(dǎo)體封裝&測(cè)試服務(wù)外包業(yè)者,，全球市占率約8.9%,，僅次于日月光集團(tuán)。

發(fā)表于：2024/4/30

三星電子：4nm 節(jié)點(diǎn)良率趨于穩(wěn)定

三星電子：4nm 節(jié)點(diǎn)良率趨于穩(wěn)定,，二季度開(kāi)始量產(chǎn) HBM3E 12H 內(nèi)存

發(fā)表于：2024/4/30

臺(tái)積電 1.4nm 工廠延期，加速推進(jìn) 2nm 投產(chǎn)

臺(tái)積電 1.4nm 工廠延期,，加速推進(jìn) 2nm 投產(chǎn)

發(fā)表于：2024/4/30

EA Elektro-Automatik 擴(kuò)大了泰克的高功率測(cè)試和測(cè)量產(chǎn)品陣容

　　泰克長(zhǎng)期致力于提供優(yōu)質(zhì)示波器、探頭,、信號(hào)分析儀和信號(hào)源,，為業(yè)界觀察和分析高速信號(hào)提供了可信可靠的解決方案。泰克深受可再生能源,、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心電源等電源相關(guān)行業(yè)設(shè)計(jì)師的喜愛(ài),。同為泰克（Tektronix）家族成員的 Keithley 是公認(rèn)的高精度電壓和電流測(cè)量?jī)x器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,。然而，當(dāng)今的電源技術(shù)同時(shí)覆蓋精密的高速控制電子設(shè)備和高功率電子設(shè)備,，盡管泰克已引領(lǐng)測(cè)試和測(cè)量行業(yè)超過(guò)75年,，但有一個(gè)領(lǐng)域我們至今尚未探索——千瓦及以上電源工程。如今,，因?yàn)?EA Elektro-Automatik 加入泰克,，這一情況已經(jīng)改變。

發(fā)表于：2024/4/29

羅克韋爾自動(dòng)化聯(lián)合上海氣候周倡議發(fā)起

　?。?024年4月23日,，中國(guó)上海）作為工業(yè)自動(dòng)化,、信息化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)之一，羅克韋爾自動(dòng)化攜手上海氣候周倡議發(fā)起,，并與臨港集團(tuán),、香港置地、戴德梁行及德勤在首屆上海氣候周期間聯(lián)合主辦的氣候燈塔點(diǎn)亮儀式暨主題論壇于今日在上海西岸漩心 Orbit 盛大舉辦,。

發(fā)表于：2024/4/29

讓數(shù)字工廠成為現(xiàn)實(shí)：通過(guò)數(shù)字化轉(zhuǎn)型走向成功

　　您對(duì)數(shù)字工廠的運(yùn)作方式感興趣,？本文將數(shù)字工廠的工作原理與人體的運(yùn)作機(jī)制相類比，概述了數(shù)據(jù)作為數(shù)字工廠命脈的重要性,。文中還探討了數(shù)字工廠如何通過(guò)智能邊緣洞察幫助提高制造工廠運(yùn)營(yíng)效率,。

發(fā)表于：2024/4/29

準(zhǔn)諧振與有源鉗位反激變換器的性能比較和分析

高頻、高效和高功率密度已成為AC-DC變換器重要的設(shè)計(jì)指標(biāo),。傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振反激變換器因其漏感能量多借助無(wú)源電阻元件以熱能形式釋放,，不具備ZVS特性，限制了功率密度的進(jìn)一步提升,，而有源鉗位反激變換器能彌補(bǔ)準(zhǔn)諧振反激變換器的不足,。先簡(jiǎn)述準(zhǔn)諧振反激變換器與有源鉗位反激變換器的工作原理，接著分析準(zhǔn)諧振與有源鉗位反激變換器主要性能指標(biāo)差異,，然后設(shè)計(jì)并制作兩款48 W的準(zhǔn)諧振反激變換器樣機(jī)和有源鉗位反激變換器樣機(jī)以便獲得相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù),，作為性能比較分析的依據(jù)。

發(fā)表于：2024/4/29

基于高精度采樣和控制系統(tǒng)的掃描電子顯微鏡高壓高穩(wěn)定電源

針對(duì)掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy,，SEM）高分辨率和全天候工作的嚴(yán)格要求,，提出并研制了具備高穩(wěn)定度以及絕緣性能優(yōu)良的200 kV高穩(wěn)定性高壓直流電源。實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)能達(dá)到3.42‰的開(kāi)關(guān)紋波和2.45‰的工頻紋波,，每小時(shí)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性達(dá)到0.093‰~0.158‰,，能夠滿足SEM對(duì)紋波和穩(wěn)定性的要求。

發(fā)表于：2024/4/29

一種電子標(biāo)簽的加速壽命試驗(yàn)可靠性預(yù)測(cè)方法研究

隨著微電子元器件設(shè)計(jì)能力和工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,，器件的可靠性和壽命不斷增加,。射頻識(shí)別電子標(biāo)簽具有需求量大、應(yīng)用范圍廣,、地域（使用溫度）跨度大等特點(diǎn),，這就對(duì)產(chǎn)品本身的可靠性提出了較高的要求，研究器件在高低溫下的退化特性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,?；贏rrhenius理論提出了一種快速計(jì)算電子標(biāo)簽激活能的方法，對(duì)電子標(biāo)簽進(jìn)行短時(shí)間的壽命加速試驗(yàn),，通過(guò)標(biāo)簽電場(chǎng)強(qiáng)度性能的退化數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)壽命情況,，快速求解電子標(biāo)簽的激活能，進(jìn)而計(jì)算出不同溫度條件下的加速因子,，為電子標(biāo)簽在不同壽命評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)下的加速試驗(yàn)時(shí)間提供理論依據(jù),。

發(fā)表于：2024/4/29

基于改進(jìn)PSO算法的機(jī)器人路徑規(guī)劃研究

傳統(tǒng)粒子群算法（PSO）容易早熟收斂,，陷入局部最優(yōu)，為此提出混沌動(dòng)態(tài)多種群粒子群算法（CDMPSO）,，并將其應(yīng)用在機(jī)器人三維路徑規(guī)劃中,。通過(guò)引入混沌映射理論來(lái)提高粒子種群初始解的質(zhì)量和分布均勻性，同時(shí)引入分組并行優(yōu)化策略,，依據(jù)適應(yīng)度值采用中位數(shù)聚類的方法,，將種群分為3個(gè)子種群并迭代進(jìn)行實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)調(diào)整，根據(jù)不同子種群的特點(diǎn)采用不同的方法來(lái)進(jìn)行種群更新,。在MATLAB軟件中與傳統(tǒng)PSO算法和自適應(yīng)粒子群（APSO）算法進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn),，發(fā)現(xiàn)改進(jìn)后的CDMPSO算法全局搜索范圍更大，陷入局部最優(yōu)次數(shù)更少,，最終路徑更短,，從而驗(yàn)證了該改進(jìn)算法是切實(shí)可行的。

發(fā)表于：2024/4/29

基于改進(jìn)AOD-Net的圖像去霧算法

為了更好解決圖像去霧后顏色失真,、去霧不徹底和耗時(shí)等問(wèn)題,，提出了一種基于改進(jìn)AOD-Net的圖像去霧算法。首先,，在原有的卷積模塊中引入殘差連接,，并保留了第二個(gè)特征融合層第一層的特征信息，以增強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)的特征提取能力,。其次,，在第三個(gè)特征融合層后引入注意力模塊，強(qiáng)化霧圖中的關(guān)鍵特征信息,，抑制無(wú)關(guān)背景干擾,。最后，采用新的復(fù)合損失函數(shù)進(jìn)行訓(xùn)練,。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,，改進(jìn)算法在公共數(shù)據(jù)集上的峰值信噪比提高了3.8 dB，結(jié)構(gòu)相似性達(dá)到了93.6%,。相較于其他去霧算法,，該算法在去霧精度和處理效率方面均表現(xiàn)出色。

發(fā)表于：2024/4/29

基于系統(tǒng)級(jí)封裝的RISC-V電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

為滿足電子系統(tǒng)在性能,、功耗、體積,、重量和國(guó)產(chǎn)化等方面的需求,，設(shè)計(jì)了一款基于系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的RISC-V電路。該電路以采用自主指令集架構(gòu)和國(guó)內(nèi)工藝的處理器為核心,，并集成了國(guó)產(chǎn)外圍電路,，實(shí)現(xiàn)了一款完全自主創(chuàng)新的,、具備常用控制與通信接口的微系統(tǒng)電路。經(jīng)過(guò)測(cè)試與驗(yàn)證,，該電路各項(xiàng)功能和性能均達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo),，有效地提高了功能密度，很好地滿足了電子系統(tǒng)在小型化,、輕量化和低功耗等方面的需求,。

發(fā)表于：2024/4/29