SiCOI MESFET的特性分析
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標簽： MESFET ISE-TCAD
所需積分：1分積分不夠怎么辦,？
文檔介紹： 使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析,。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長,、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性,、輸出特性有較大影響,。
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分,；重復下載不扣分,，本人上傳資源不扣分。