p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:serena | |
標(biāo)簽: p-n結(jié) 隧道擊穿 | |
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文檔介紹: 在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律,。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性,。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義,。 | |
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