20 MHz～520 MHz寬帶功率放大器的研制
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>588 K
標簽： GaN 寬帶功放 負反饋
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文檔介紹：新一代半導體材料GaN相比于Si,、GaAs等材料,，具有禁帶寬,、擊穿場強高,、熱穩(wěn)定性優(yōu)異等特性,，在寬帶功放的設計中被廣泛使用,?；贑REE公司的兩款GaN功率芯片進行級聯(lián),，匹配電路為集中元件和分布元件混合，采用負反饋技術提高帶寬,，RC并聯(lián)網(wǎng)絡提高穩(wěn)定性,，設計了一款20 MHz～520 MHz的寬帶功放。利用ADS軟件對芯片模型和匹配電路進行優(yōu)化仿真和實際調試,，在20 MHz～520 MHz頻段內,，功放模塊飽和輸出功率大于9 W，增益大于29.5 dB,，漏極效率高于40%,，帶內平坦度為±0.7 dB。
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