采用平面分柵結(jié)構(gòu)的高增益寬帶射頻VDMOS研制
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>843 K
標(biāo)簽： 射頻 場效應(yīng)晶體管 分柵
所需積分：0分積分不夠怎么辦,？
文檔介紹：硅基射頻場效應(yīng)晶體管具有線性度好、驅(qū)動電路簡單,、開關(guān)速度快,、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等優(yōu)點(diǎn),，在HF,、VHF和UHF波段具有廣闊的應(yīng)用前景。針對射頻場效應(yīng)晶體管寬帶,、高增益和高效率的應(yīng)用需求,，基于標(biāo)準(zhǔn)平面MOS工藝，采用平面分柵(split gate)結(jié)構(gòu),，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)研制出一款工作電壓為28 V的硅基射頻垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(VDMOS),。該器件在30~90 MHz頻段范圍內(nèi)，小信號增益大于19 dB,，在60 MHz頻點(diǎn)下連續(xù)波輸出功率可以達(dá)到87 W,，功率附加效率達(dá)72.4 %，具有優(yōu)異的射頻性能,。
現(xiàn)在下載
VIP會員,，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分,，本人上傳資源不扣分,。