基于場(chǎng)路耦合的反激變換器板級(jí)輻射研究
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1043 K
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 反激變換器 輻射干擾
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文檔介紹：輻射干擾問題是制約電源產(chǎn)品高頻化、小型化的因素之一,?；趫?chǎng)路耦合的仿真思路，建立MOSFET的電磁場(chǎng)有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型,。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù),，對(duì)一款5 W輸出的反激變換器的板級(jí)輻射干擾進(jìn)行聯(lián)合仿真，并對(duì)比了兩種高頻變壓器模型對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)仿真結(jié)果的影響,。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,，在230 MHz以內(nèi)的頻段3 m遠(yuǎn)場(chǎng)仿真超標(biāo)頻點(diǎn)與實(shí)測(cè)吻合，驗(yàn)證了該仿真方法的正確性,，且簡(jiǎn)化的變壓器二電容模型具有更寬頻帶的適用性,；所得到的近場(chǎng)電磁場(chǎng)分布表明MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。
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