基于0.35 μm CMOS工藝的高溫高壓LDO芯片設(shè)計(jì)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1053 K
標(biāo)簽： LDO CMOS 高溫高壓
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文檔介紹：基于X-FAB xa 0.35 μm CMOS工藝,，首先采用Cascode電流鏡和高壓管,，設(shè)計(jì)了一種具有高電源抑制比且無需額外提供偏置模塊的高溫高壓基準(zhǔn)電路，在輸入電壓為5.5 V～30 V,、工作溫度為-55 ℃～175 ℃時(shí),，可獲得穩(wěn)定的0.9 V基準(zhǔn)電壓。接著針對(duì)負(fù)反饋環(huán)路的穩(wěn)定性問題,，根據(jù)動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償原理設(shè)計(jì)了一種新的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路,，使系統(tǒng)在全負(fù)載變化范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,。同時(shí)配合其他過溫保護(hù),、過壓保護(hù)、過流保護(hù)和邏輯控制等電路模塊,，完成一款面積為2.822 3 mm2的高溫高壓低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)芯片的設(shè)計(jì),。
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