設(shè)計(jì)資源-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

基于UVM的時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)交換芯片的驗(yàn)證架構(gòu)設(shè)計(jì)[模擬設(shè)計(jì)][通信網(wǎng)絡(luò)]

基于UVM驗(yàn)證方法學(xué)、自動(dòng)化比對(duì)和覆蓋率驅(qū)動(dòng)的驗(yàn)證思想，構(gòu)建了一個(gè)用于時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）交換芯片的系統(tǒng)驗(yàn)證架構(gòu)。該架構(gòu)采用分類和流水處理數(shù)據(jù)報(bào)文方法，結(jié)合流量檢測(cè)、時(shí)間槽檢測(cè)和數(shù)據(jù)報(bào)文自動(dòng)化比對(duì)方案，成功支撐TSN業(yè)務(wù)系統(tǒng)驗(yàn)證方法落地，保證了系統(tǒng)驗(yàn)證完備性。芯片回片經(jīng)測(cè)試滿足商用需求，再次論證了驗(yàn)證架構(gòu)的完備性。

發(fā)表于：12/16/2024

基于自適應(yīng)優(yōu)化的高速交叉矩陣設(shè)計(jì)[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

提出了一種基于自適應(yīng)優(yōu)化的交叉矩陣傳輸設(shè)計(jì)，采用AHB協(xié)議并引入自適應(yīng)突發(fā)傳輸調(diào)整和自適應(yīng)優(yōu)先級(jí)調(diào)整的創(chuàng)新機(jī)制。通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)整突發(fā)傳輸?shù)拈L(zhǎng)度和優(yōu)先級(jí)分配，實(shí)現(xiàn)了對(duì)數(shù)據(jù)流的有效管理，提升了系統(tǒng)的帶寬利用率和傳輸效率。對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行前端仿真和后端布局布線，仿真驗(yàn)證了該方法在不同負(fù)載環(huán)境下的優(yōu)越性，能夠優(yōu)化總線資源分配，提升傳輸速度，降低總體功耗。

發(fā)表于：12/16/2024

DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向[模擬設(shè)計(jì)][通信網(wǎng)絡(luò)]

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）因其高存儲(chǔ)密度和成本效益，在現(xiàn)代大規(guī)模計(jì)算機(jī)和超高速通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要介紹動(dòng)態(tài)DRAM的發(fā)展歷程、關(guān)鍵技術(shù)、國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展以及未來(lái)發(fā)展方向。首先，介紹了DRAM的分類、基本單元結(jié)構(gòu)、工作原理。其次，詳細(xì)介紹了DDR SDRAM的關(guān)鍵性能指標(biāo)以及專用DRAM的發(fā)展。然后，介紹了提高DRAM訪問(wèn)速度、容量與密度的創(chuàng)新DRAM架構(gòu)和技術(shù)，以及無(wú)電容存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、3D堆疊DRAM技術(shù)以及Rowhammer安全問(wèn)題及其防御機(jī)制。最后，展望了DRAM技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向，闡述了為了應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的高速、低功耗和高可靠性的存儲(chǔ)需求，對(duì)現(xiàn)有DRAM技術(shù)的進(jìn)行深入研究和創(chuàng)新的重要性。

發(fā)表于：12/16/2024

高速車載數(shù)據(jù)傳輸物理層接口芯片標(biāo)準(zhǔn)綜述[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

作為實(shí)現(xiàn)汽車智能化的關(guān)鍵技術(shù)之一，高速、高可靠性、低時(shí)延的車載數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)正獲得越來(lái)越多的關(guān)注；同時(shí)，對(duì)于打破私有協(xié)議壟斷、增強(qiáng)設(shè)備間互聯(lián)互通的需求日益增長(zhǎng)，推動(dòng)著車載數(shù)據(jù)傳輸公有標(biāo)準(zhǔn)的制定成為了國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)組織的研究熱點(diǎn)。首先介紹了車載數(shù)據(jù)傳輸鏈路的特點(diǎn)，接著聚焦于高速車載數(shù)據(jù)傳輸物理層接口芯片標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)主要標(biāo)準(zhǔn)組織及其標(biāo)準(zhǔn)的制定情況進(jìn)行了綜述，并對(duì)各標(biāo)準(zhǔn)的主要性能指標(biāo)與物理層技術(shù)進(jìn)行了分析與對(duì)比。

發(fā)表于：12/16/2024

基于深度學(xué)習(xí)的神經(jīng)歸一化最小和LDPC長(zhǎng)碼譯碼[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

LDPC碼是一種應(yīng)用廣泛的高性能糾錯(cuò)碼，近年來(lái)基于深度學(xué)習(xí)和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的LDPC譯碼成為研究熱點(diǎn)。基于CCSDS標(biāo)準(zhǔn)的（512，256）LDPC碼，首先研究了傳統(tǒng)的SP、MS、NMS、OMS的譯碼算法，為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。然后研究基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)（DD）的譯碼方法，即采用大量信息及其經(jīng)編碼、調(diào)制、加噪的LDPC碼作為訓(xùn)練數(shù)據(jù)在多層感知層（MLP）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行訓(xùn)練。為解決數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法誤碼率高的問(wèn)題，又提出了將NMS算法映射到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的神經(jīng)歸一化最小和（NNMS）譯碼，取得了比NMS更優(yōu)秀的誤碼性能，信道信噪比為3.5 dB時(shí)誤碼率下降85.19%。最后研究了提升NNMS網(wǎng)絡(luò)的SNR泛化能力的改進(jìn)訓(xùn)練方法。

發(fā)表于：12/16/2024

10G以太網(wǎng)的信號(hào)處理關(guān)鍵技術(shù)[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

隨著AI PC、Wi-Fi路由器、GPON等產(chǎn)品的快速升級(jí)，高速有線網(wǎng)絡(luò)作為網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分，以太網(wǎng)物理層芯片需要提供更高的傳輸速率，更好地滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代下日益增長(zhǎng)的帶寬需求。10G以太網(wǎng)技術(shù)將成為下一代以太網(wǎng)技術(shù)的重點(diǎn)發(fā)展方向。10G以太網(wǎng)芯片的研發(fā)需要攻克高速信號(hào)完整性、低功耗設(shè)計(jì)等一系列技術(shù)難題。圍繞10G以太網(wǎng)PHY芯片的信號(hào)處理關(guān)鍵問(wèn)題，首先介紹10G以太網(wǎng)的相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)背景，然后討論10G以太網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)需求，接著重點(diǎn)闡述10G以太網(wǎng)物理層信號(hào)處理的關(guān)鍵技術(shù)。最后對(duì)全文進(jìn)行總結(jié)并探討未來(lái)高速以太網(wǎng)的進(jìn)一步發(fā)展。

發(fā)表于：12/16/2024

慶祝顯示技術(shù)30年創(chuàng)新歷程[顯示光電][工業(yè)自動(dòng)化]

2024年10月，應(yīng)用材料公司慶祝顯示器制造設(shè)備創(chuàng)新30周年！我們?cè)谕苿?dòng)關(guān)鍵顯示技術(shù)變革方面有悠久的傳統(tǒng)，并且有能力在下一次重大技術(shù)變革中也處于領(lǐng)先地位——即將高端智能手機(jī)中先進(jìn)的OLED顯示技術(shù)應(yīng)用于成千上百萬(wàn)的設(shè)備，從AR/VR頭顯到平板電腦、個(gè)人電腦和電視。

發(fā)表于：12/16/2024

RCL完整測(cè)試所需儀器介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

RCL完整測(cè)試所需儀器

發(fā)表于：12/13/2024

電感的重要參數(shù)介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

電感的重要參數(shù)介紹

發(fā)表于：12/13/2024

電容的主要參數(shù)介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

電容器的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： ?1.電容值（Capacitance Value）：表示電容器儲(chǔ)存電荷的能力，通常以法拉（F）為單位，但在實(shí)際應(yīng)用中更常用的單位是微法拉（μF）、皮法拉（pF）等。 2.額定電壓（Rated Voltage）：指電容器能夠安全工作的最大電壓，超過(guò)這個(gè)電壓可能會(huì)導(dǎo)致電容器擊穿或損壞。 3.容差（Tolerance）：指電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍，通常以百分比表示。

發(fā)表于：12/13/2024

電阻的主要參數(shù)介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

電阻的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： 1.阻值（Resistance Value）：這是電阻的基本特性，表示電阻對(duì)電流流動(dòng)的阻礙程度，通常以歐姆（Ω）為單位。 2.額定功率（Rated Power）：指電阻在正常工作條件下能夠承受的最大功率，超過(guò)這個(gè)功率可能會(huì)導(dǎo)致電阻過(guò)熱甚至損壞。功率以瓦特（W）為單位。 3.容差（Tolerance）：指電阻的實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值之間的允許偏差范圍。容差通常以百分比表示，例如5%或1%。 4.溫度系數(shù)（Temperature Coefficient）：

發(fā)表于：12/13/2024

電感的主要類型介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

電感器是用絕緣導(dǎo)線繞制而成的一種電磁感應(yīng)組件，是電子電路中不可或缺的重要元件之一，它在儲(chǔ)能、濾波、調(diào)諧等方面發(fā)揮著重要作用。

發(fā)表于：12/13/2024

電容的主要類型介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件，是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件，主要用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔直流等電路中。

發(fā)表于：12/13/2024

電阻的主要類型介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

電阻表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙的大小，是電子電路中不可或缺的元件，其類型繁多，不同類型的電阻適用于不同的電路和環(huán)境。

發(fā)表于：12/13/2024

【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學(xué)測(cè)試方案詳解[測(cè)試測(cè)量][消費(fèi)電子]

　　纖維器件是一種以纖維為基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)形態(tài)的功能性元件。呈現(xiàn)纖維狀，有著細(xì)長(zhǎng)的外觀，直徑通常較為細(xì)小，長(zhǎng)度則根據(jù)具體設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求可長(zhǎng)可短。其形狀可以是筆直的，也能被加工成具有一定彎曲度或柔韌性的樣式，以便更好地適配不同的使用環(huán)境和集成要求。

發(fā)表于：12/11/2024