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同頻抗互擾低成本安檢機雙光障設(shè)計[測試測量][其他]

光障是X光安檢設(shè)備的關(guān)鍵部件,，用量大且價格高,。為了降低成本及增加性能，減少對外購成品的依賴,，提出了一種光障設(shè)計方案,。針對安檢機的特定應(yīng)用需求,，采用單一時鐘源和固定相位差的發(fā)射和接收方式，選用低成本元件,，實現(xiàn)了安檢機內(nèi)多光障的抗互擾可靠工作,；設(shè)計了自動增益功能及自檢功能，通過優(yōu)化的互連接口,，簡化了系統(tǒng)接線,，進(jìn)一步完善了整機性能。批量應(yīng)用后,，其價格僅為原系統(tǒng)的十分之一,，有效降低了安檢機的生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：1/19/2021 9:49:00 AM

智能電能表停復(fù)電主動上報方法研究[電子元件][智能電網(wǎng)]

及時獲取電力用戶的停電信息是電網(wǎng)運維搶修的關(guān)鍵,。提出一種由電能表感知并產(chǎn)生停電事件,、由通信模塊轉(zhuǎn)發(fā)的主動上報方案，解決現(xiàn)有電能表停電事件主動上報方案兼容性,、擴展性差的缺陷,。提出一種復(fù)電主動上報并且廣播校時的方案，實現(xiàn)了停電運維搶修作業(yè)的閉環(huán)管理,，解決了由于時鐘電池欠壓導(dǎo)致的電能表停電后時鐘錯亂的問題,。介紹新一代智能電能表的設(shè)計理念，并提出停復(fù)電事件主動上報方法與校時策略在新一代智能電能表上的實現(xiàn)方案,，為能源互聯(lián)網(wǎng)建設(shè)中新一代智能電能表的推廣應(yīng)用提供了解決方案,。

發(fā)表于：1/19/2021 9:37:00 AM

電子支付風(fēng)險控制個人可信確認(rèn)方案研究[通信與網(wǎng)絡(luò)][信息安全]

通過研究電子支付業(yè)務(wù)風(fēng)險的個人自主控制模式，分析了電子支付個人風(fēng)險控制系統(tǒng)和個人可信確認(rèn)基本過程,，提出個人可信確認(rèn)風(fēng)險控制機制的密碼應(yīng)用需求,。同時，設(shè)計了基于密碼應(yīng)用技術(shù)的個人可信確認(rèn)方案,，包括系統(tǒng)構(gòu)成,、使用的密鑰,、方案原理、個人可信確認(rèn)報文,、密碼安全應(yīng)用流程,、密碼應(yīng)用相關(guān)安全技術(shù)要求等部分。該方案可供支付機構(gòu),、電子支付個人風(fēng)險控制領(lǐng)域相關(guān)系統(tǒng)和設(shè)備廠商作為技術(shù)參考,。

發(fā)表于：1/18/2021 5:32:00 PM

工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)安全分類分級防護(hù)框架研究[通信與網(wǎng)絡(luò)][工業(yè)自動化]

通過對工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)面臨的主要問題和風(fēng)險進(jìn)行分析，并對適用于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)安全的防護(hù)技術(shù)進(jìn)行研究,，提出從通用安全防護(hù),、分類安全防護(hù)、分級安全防護(hù)三個層面構(gòu)建的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)安全防護(hù)框架,，將系統(tǒng)防護(hù)與數(shù)據(jù)防護(hù)、動態(tài)防護(hù)與靜態(tài)防護(hù),、管理要求與技術(shù)支撐相結(jié)合,，解決不同層次的安全問題，為有效提升企業(yè)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)安全防護(hù)能力提供借鑒思路,。

發(fā)表于：1/18/2021 4:36:00 PM

用于甚低頻無線通信的一種低噪聲放大器設(shè)計[模擬設(shè)計][其他]

介紹了一種用于甚低頻無線通信中的低噪聲放大器的設(shè)計,。提出了一個由低通跨導(dǎo)與自共源共柵MOSFET形成的新環(huán)路，用于穩(wěn)定放大器的輸出偏置電壓,。該環(huán)路配合恒定跨導(dǎo)偏置電路,，可使放大器的開環(huán)增益保持在40 dB左右，不會受到工藝偏差,、電源電壓波動和工作溫度變化的影響,。該放大器中自共源共柵MOSFET作為增益單元，配合全差分電流偏置電路,，輸出范圍可達(dá)到軌到軌,。此放大器具有高達(dá)101.4 dB的帶內(nèi)電源抑制比。當(dāng)可穿戴設(shè)備采用高阻抗電源供電時,，電源紋波對輸出信號幾乎無影響,。

發(fā)表于：1/18/2021 9:13:00 AM

MOSFET寄生參數(shù)對LLC諧振變換器性能影響研究[模擬設(shè)計][其他]

針對MOSFET寄生參數(shù)對LLC諧振電路性能的影響，首先對MOSFET的寄生電容進(jìn)行等效分析,，基于該等效模型,，分析在LLC諧振變換電路中，寄生參數(shù)的存在對電路各個階段過程的影響,；接著對由于寄生參數(shù)引起的非線性特征,，基于Angelov模型進(jìn)行建模，并對該模型在直流電路中的影響進(jìn)行分析,。最后在MATLAB下建立了LLC諧振電路模型,，在仿真模型中考慮了寄生參數(shù)的影響,。仿真結(jié)果表明，建立的等效模型可以較好地反映MOSFET器件的工作特點,；同時,，由于寄生參數(shù)的存在，LLC諧振電路的輸出增益和諧振頻率都會受到影響,，其中尤以對諧振頻率的影響較大,。

發(fā)表于：1/18/2021 9:06:00 AM

基于SystemVerilog的超高頻RFID標(biāo)簽數(shù)字基帶設(shè)計與研究[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

在ISO/IEC 18000-6C標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的基礎(chǔ)上，對超高頻射頻識別(UHF RFID)標(biāo)簽數(shù)字基帶的設(shè)計與實現(xiàn)展開研究,。根據(jù)協(xié)議規(guī)定的標(biāo)簽數(shù)字基帶的設(shè)計要求和指標(biāo),，采用SystemVerilog分別對標(biāo)簽發(fā)送和接收基帶進(jìn)行建模，并給出基帶中關(guān)鍵模塊的理論推導(dǎo)和設(shè)計實現(xiàn),。SystemVerilog作為Verilog基礎(chǔ)上拓展產(chǎn)生的硬件描述語言和驗證語言,，可以大幅度提高SoC設(shè)計的效率。最后使用Modelsim SE-64 10.4對標(biāo)簽數(shù)字基帶設(shè)計進(jìn)行仿真,，結(jié)果表明該數(shù)字基帶符合ISO/IEC 18000-6C協(xié)議要求,，該設(shè)計為單芯片UHF RFID標(biāo)簽提供了設(shè)計參考。

發(fā)表于：1/15/2021 9:19:00 AM

基于改進(jìn)的Faster R-CNN的古建筑地磚缺陷檢測[測試測量][其他]

缺陷檢測對于古建筑的保護(hù)和修繕具有重要的意義,，傳統(tǒng)的地磚缺陷檢測通過目視檢查,，存在受人力影響大、耗時長等限制,?；谏疃葘W(xué)習(xí)的良好應(yīng)用前景，建立故宮地磚缺陷的數(shù)據(jù)集,，提出改進(jìn)型Faster R-CNN的網(wǎng)絡(luò),。首先，構(gòu)建可變形卷積,，通過網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)并提取地磚中的缺陷特征,；然后，將特征圖輸入?yún)^(qū)域生成網(wǎng)絡(luò)中生成候選區(qū)域框,，將生成的特征圖和候選區(qū)域框進(jìn)行池化操作,；最后，輸出缺陷檢測結(jié)果,。在故宮地磚圖片數(shù)據(jù)集的測試下,，改進(jìn)后的模型平均準(zhǔn)確率均值到達(dá)92.49%，與Faster R-CNN模型相比提高了2.99%,，更適用于地磚缺陷檢測,。

發(fā)表于：1/15/2021 9:11:00 AM

基于ADAS的汽車倒車防碰撞系統(tǒng)設(shè)計與研究[微波|射頻][汽車電子]

深入分析了當(dāng)前倒車影像系統(tǒng)在實際使用場景上的不足，介紹了雷達(dá)存在的輻射面有限,、角度盲區(qū),、物體識別方面的缺陷,，以及毫米波雷達(dá)的高成本難以普及應(yīng)用。提出了基于ADAS的汽車倒車防碰撞系統(tǒng)設(shè)計,，對系統(tǒng)倒車功能做了深入的原理分析,，針對基于倒車攝像頭圖像分析的ADAS算法詳細(xì)介紹了其技術(shù)關(guān)鍵點和基于倒車場景融合特征的創(chuàng)新應(yīng)用，算法識別效果精準(zhǔn)有效,。針對不同車輛攝像頭安裝位置和朝向的差異創(chuàng)新設(shè)計了靈活的預(yù)警和報警區(qū)域的調(diào)節(jié)功能,，結(jié)合TTS語音提醒和圖文顯示提醒司機采取合適的操作保障行車安全，極大地改善了該倒車防碰撞系統(tǒng)的用戶體驗和實際作用,，為司機的安全行車提供了有力保障,。

發(fā)表于：1/14/2021 9:32:00 AM

FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述[其他][其他]

隨著集成電路技術(shù)日新月異的發(fā)展，器件尺寸不斷縮小,，當(dāng)場效應(yīng)晶體管溝道縮短至22 nm以后,，傳統(tǒng)平面場效應(yīng)晶體管不再滿足發(fā)展的需求。FinFET是一種新型的三維器件,，由于良好的性能目前被廣泛研究應(yīng)用,。主要介紹了FinFET器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)以及基礎(chǔ)工藝流程，以及在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上所發(fā)展起來的一些改良后的FinFET器件結(jié)構(gòu),。最后結(jié)合實際對未來FinFET器件結(jié)構(gòu)的發(fā)展寄予展望。

發(fā)表于：1/14/2021 9:23:00 AM