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2024年前三季度的半導(dǎo)體總收入達(dá)到1020億美元

2024年前三季度的半導(dǎo)體總收入達(dá)到1020億美元

2024年前三季度的半導(dǎo)體總收入與2023年同期相比增長(zhǎng)了26%,，增長(zhǎng)達(dá)到1020億美元

國(guó)產(chǎn)256核RISC-V處理器曝光

國(guó)產(chǎn)256核RISC-V處理器曝光,，計(jì)劃擴(kuò)展到1600核！隨著每一代新一代芯片增加晶體管密度變得越來(lái)越困難，因此芯片制造商正在尋找其他方法來(lái)提高處理器的性能,，其中包括架構(gòu)創(chuàng)新,、更大的芯片尺寸,、多芯片設(shè)計(jì),，甚至晶圓級(jí)芯片，比如 Cerebras 的 WSE 系列 AI 芯片,。近日,，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所的科學(xué)家們也推出了一款先進(jìn)基于 RISC-V 架構(gòu)的 256 核多芯片，并計(jì)劃將該設(shè)計(jì)擴(kuò)展到 1,600 核,，以創(chuàng)造整個(gè)晶圓大小的芯片,，以作為一個(gè)計(jì)算設(shè)備。據(jù) The Next Platform 報(bào)道,，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所的科學(xué)家在《基礎(chǔ)研究》雜志最近發(fā)表的一篇文章中介紹了一種先進(jìn)的 256 核多芯片計(jì)算復(fù)合體,，名為 " 浙江大芯片 ",。

發(fā)表于：1/5/2024

世界上第一個(gè)石墨烯半導(dǎo)體問(wèn)世,！比硅快10倍

世界上第一個(gè)石墨烯半導(dǎo)體問(wèn)世,！比硅快10倍

發(fā)表于：1/5/2024

博世將信息娛樂(lè)和駕駛輔助功能集成在單個(gè)芯片上

博世將信息娛樂(lè)和駕駛輔助功能集成在單個(gè)芯片上

發(fā)表于：1/5/2024

有機(jī)半導(dǎo)體大突破,！無(wú)需顯著改變結(jié)構(gòu),，新分子性能更優(yōu)

有機(jī)半導(dǎo)體大突破,！無(wú)需顯著改變結(jié)構(gòu) 新分子性能更優(yōu)

發(fā)表于：1/5/2024

?鴻蒙的關(guān)鍵一年,，華為先立后破的機(jī)緣

?鴻蒙的關(guān)鍵一年，華為先立后破的機(jī)緣鴻蒙的戰(zhàn)略價(jià)值一直是被業(yè)界低估的,。作為外行人,，《智物》過(guò)去兩年當(dāng)中一直提到和強(qiáng)調(diào)的一個(gè)觀點(diǎn)：因?yàn)橛行馒櫭傻募軜?gòu)存在，才可以使得華為的國(guó)產(chǎn)芯片生態(tài),，可以短暫脫離傳統(tǒng)芯片制程的競(jìng)爭(zhēng),，讓余承東用比iPhone、三星,、OV,、小米低兩三個(gè)世代的芯片制程，同臺(tái)競(jìng)技,。

發(fā)表于：1/5/2024

特斯拉 FleetAPI 新增支持 Powerwall 能源系統(tǒng)等產(chǎn)品

特斯拉 FleetAPI 新增支持 Powerwall 能源系統(tǒng)等產(chǎn)品,，便于開(kāi)發(fā)者創(chuàng)建第三方應(yīng)用

發(fā)表于：1/5/2024

2024年,，最有趣的11個(gè)電子工程新創(chuàng)意

對(duì)電子工程師來(lái)說(shuō)，不僅要關(guān)注芯片以及半導(dǎo)體本身,，更要關(guān)注下游電子應(yīng)用,，畢竟芯片是為電子應(yīng)用而服務(wù)。 IEEE Spectrum日前發(fā)布“2024年值得關(guān)注的11個(gè)工程里程碑“,，列舉了未來(lái)一年值得關(guān)注的科技技術(shù),。那么有哪些電子應(yīng)用將在明年發(fā)光發(fā)熱，其中又有哪些潛在的芯片應(yīng)用將會(huì)爆發(fā),？

發(fā)表于：1/4/2024

我國(guó)自研 AG60E 電動(dòng)飛機(jī)首飛

我國(guó)自研 AG60E 電動(dòng)飛機(jī)首飛：最大平飛速度218km/h,，航程1100km

發(fā)表于：1/4/2024

采用6nm工藝，紫光展銳推出全新5G芯片

采用6nm工藝,，紫光展銳推出全新5G芯片

發(fā)表于：1/4/2024

英特爾和臺(tái)積電的工藝競(jìng)賽：18A與N2

在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，英特爾和臺(tái)積電正展開(kāi)一場(chǎng)激動(dòng)人心的工藝之爭(zhēng),，吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注,。兩家企業(yè)最新的 18A 工藝和 N2 工藝帶來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)與創(chuàng)新的角逐。 ● 英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 相信將在未來(lái)幾年擊敗臺(tái)積電,。在接受采訪時(shí),，強(qiáng)調(diào)了 18A 工藝（1.8 納米）與臺(tái)積電的 N2（2 納米）節(jié)點(diǎn)。18A 和 N2 都將利用 GAA 晶體管 ( RibbonFET ) ,， 1.8 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)將采用 BSPND,，一種可優(yōu)化功率和時(shí)鐘的背面功率傳輸技術(shù)。 ● 當(dāng)然臺(tái)積電相信其 N3P（3 納米級(jí)）技術(shù)將在功耗,、性能和面積（PPA）等方面與英特爾的 18A 相媲美,，而其 N2（2 納米級(jí)）將在所有方面超越之。

發(fā)表于：1/4/2024