《電子技術(shù)應(yīng)用》
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宏力半導(dǎo)體,力旺電子宣布應(yīng)用于微控制器的低成本高效率OTP制程成功量產(chǎn)

2011-03-03
作者:宏力半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞: 工藝技術(shù) OTP 微控制器 MCU

  上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,,宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結(jié)合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米技術(shù)節(jié)點,,在使用較少光罩層數(shù)的同時,創(chuàng)造了業(yè)內(nèi)OTP最小單元尺寸(cell size)的記錄,。
 
  宏力半導(dǎo)體繼2009年與其戰(zhàn)略合作伙伴力旺電子成功開發(fā)0.18微米低本高效的OTP技術(shù)平臺后,,已有20多件產(chǎn)品相繼投入量產(chǎn),每月投片量達數(shù)千片,。該OTP單元尺寸僅0.8平方微米,,比市場上現(xiàn)有傳統(tǒng)的0.35微米OTP縮小達6倍,在創(chuàng)造行業(yè)記錄的同時,,其出色的數(shù)據(jù)存儲性能也已在多顆MCU (微控制器)產(chǎn)品上得到了驗證,。與傳統(tǒng)的0.35微米OTP制程相比,該0.18微米OTP制程采用了STI (淺槽隔離)代替LOCOS (局部場氧化),,并按照0.18微米后端制程的設(shè)計規(guī)則,,使芯片的尺寸縮小30%以上。另一方面,,該解決方案至少可以減少5層光罩層,,使總光罩層數(shù)僅為14層。此外,,宏力還提供整套硅驗證(silicon proven) IP及單元庫以幫助客戶大幅縮短產(chǎn)品上市的時間,。
 
  力旺電子董事長徐清祥先生表示:“該低本高效的OTP制程不僅證明了力旺電子強大的技術(shù)開發(fā)能力,同時也體現(xiàn)了我們?yōu)榻档涂蛻糁圃斐杀径粩鄤?chuàng)新的追求,。我們已經(jīng)與宏力半導(dǎo)體就NVM(非揮發(fā)性記憶體)的開發(fā)合作多年,,期間宏力證明了其以綠色環(huán)保的工藝流程生產(chǎn)高良率的NVM的能力。今后我們將繼續(xù)與宏力半導(dǎo)體緊密合作,,并致力開發(fā)行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)解決方案以滿足更多樣化的應(yīng)用需求,。”
 
  此外,宏力半導(dǎo)體與力旺電子也正繼續(xù)合作開發(fā)其他NVM技術(shù),。比如,,正在研發(fā)中的與邏輯制程兼容的低本高效MTP制程,其較之OTP技術(shù)在現(xiàn)場可編程方面更具靈活性。
 
  “我們已經(jīng)將MCU平臺做為宏力半導(dǎo)體差異化技術(shù)中最重要的戰(zhàn)略之一,。自2009年以來宏力已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬片MCU晶圓并證明了其量產(chǎn)的能力,。” 宏力半導(dǎo)體銷售市場服務(wù)單位資深副總衛(wèi)彼得博士表示,“為了更好的擴展MCU解決方案的平臺,,我們將繼續(xù)開發(fā)其他應(yīng)用于MCU的領(lǐng)先技術(shù),,比如將力旺電子的技術(shù)與宏力半導(dǎo)體的邏輯制程結(jié)合,,開發(fā)0.18微米低本高效MTP制程,。”
 

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