為了滿足半導體應用提高效率和性能的需求,,全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司,擴展其領先的技術能力,。
這項收購為飛兆半導體帶來獲經(jīng)驗證效率的業(yè)界領先雙極SiC晶體管技術,、寬溫度范圍下的出色表現(xiàn),以及超越MOSFET和JFET技術的卓越性能,。飛兆半導體同時借著這項收購獲取經(jīng)驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊,,以及多項SiC技術專利。
飛兆半導體公司主席,、總裁兼首席執(zhí)行官Mark Thompson稱:“通過綜合SiC技術和飛兆半導體現(xiàn)有的MOSFET,、IGBT和多芯片模塊方面的能力,以及位于全球的客戶據(jù)點,,我們擁有足夠實力,,繼續(xù)擔當創(chuàng)新性,、高性能功率晶體管技術的領導廠商。”
飛兆半導體首席技術官Dan Kinzer稱:“SiC技術的高性能水平可以大大提高功率轉換效率,。它還提供了更高的轉換速度,,可以實現(xiàn)更小的終端系統(tǒng)外形尺寸。碳化硅技術在市場已有一定地位,,特別在寬帶隙領域擁有強大優(yōu)勢,,適合需要600V以上電壓的應用,并展示了出色的穩(wěn)健性和可靠性,。”
SiC技術超越其它技術的優(yōu)勢包括:
•在特定的芯片尺寸下具有較低的導通狀態(tài)電壓降
•較高的電流密度
•較高的工作溫度
•極低的熱阻抗
•僅有多數(shù)載流子傳導,,具有超快的開關速度
•采用電流增益范圍為100的通常關斷運作(off operation)方式,提供簡便的驅動解決方案
•由于采用正溫度系數(shù)電阻組件,,可以方便地并聯(lián)
另外,這類器件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限,,并且成功地在25ns的導通和關斷時間范圍內演示了800V下的50A開關運作,。這些器件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數(shù)穩(wěn)定性。
這些高增益SiC雙極器件適合向下鉆探,、太陽能逆變器,、風能逆變器、電氣和混合動力汽車,、工業(yè)驅動,、UPS和輕軌牽引應用中的大功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計這些市場將于2020年達到接近10億美元的規(guī)模,。
這款器件具有業(yè)界領先的效率,,可將成熟的硅技術器件的相關損耗削減多達50%,或在相同的損耗條件下,,將頻率提高多達四倍,。SiC器件具有顯著減小的體積、較少的無源元件,,能夠降低總體系統(tǒng)成本和提升價值,。對于需要最高效率和功率密度的系統(tǒng),該器件是無可比擬的首選產(chǎn)品,。
飛兆半導體正在提供針對目標應用的最高50A額定電流的1200V初始產(chǎn)品的樣品,,并將于未來開發(fā)具有更寬電壓和電流范圍的產(chǎn)品,繼續(xù)推動節(jié)能工作,。
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