本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/存儲器" title="存儲器" target="_blank">存儲器做了一個簡單的介紹,。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器,，具有高速、高密度,、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),。 當(dāng)前應(yīng)用于存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)系列，包括PbZr1-xTixO3,，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等,。鐵電存儲器的存儲原理是基于鐵電材料的高介電常數(shù)和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO),。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應(yīng),，以鐵電薄膜電容取代常規(guī)的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉(zhuǎn)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與讀取,。
鐵電隨機(jī)存取存儲器(FeRAM)就是基于DRO工作模式,。這種破壞性的讀出后需重新寫入數(shù)據(jù)，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作,。隨著不斷地極化反轉(zhuǎn),，此類FeRAM會發(fā)生疲勞失效等可靠性問題。目前,，市場上的鐵電存儲器全部都是采用這種工作模式,。NDRO模式存儲器以鐵電薄膜來替代MOSFET中的柵極二氧化硅層，通過柵極極化狀態(tài)(±Pr)實現(xiàn)對來自源—漏電流的調(diào)制,，使它明顯增大或減小,，根據(jù)源—漏電流的相對大小即可讀出所存儲的信息，而無需使柵極的極化狀態(tài)反轉(zhuǎn),，因此它的讀出方式是非破壞性的,。基于NDRO工作模式的鐵電場效應(yīng)晶體管(FFET)是一種比較理想的存儲方式,。但迄今為止,，這種鐵電存儲器尚處于實驗室研究階段，還不能達(dá)到實用程度,。
Ramtron公司是最早成功制造出FeRAM的廠商,。該公司剛推出高集成度的FM31系列器件，這些產(chǎn)品集成最新的FeRAM存儲器，可以用于汽車電子,、消費(fèi)電子,、通信、工業(yè)控制,、儀表和計算機(jī)等領(lǐng)域,。Toshiba公司與Infineon公司2003年合作開發(fā)出存儲容量達(dá)到32Mb的FeRAM，該FeRAM采用單管單電容(1T1C)的單元結(jié)構(gòu)和0.2mm工藝制造,，存取時間為50ns,，循環(huán)周期為75ns，工作電壓為3.0V或2.5V,。
Matsushita公司也在2003年7月宣布推出世界上第一款采用0.18mm工藝大批量制造的FeRAM嵌入式系統(tǒng)芯片(SOC),。該公司新開發(fā)的這種產(chǎn)品整合了多種新穎的技術(shù)，包括采用了獨(dú)特的無氫損單元和堆疊結(jié)構(gòu),，將存儲單元的尺寸減小為原來的十分之一;采用了厚度小于10nm(SrBi2Ti2O9)的超微鐵電電容,，從而大幅減小了裸片的尺寸，擁有低功耗,，工作電壓僅為1.1V,。2003年初，Symetrix公司向Oki公司授權(quán)使用NDRO FeRAM技術(shù),，后者采用0.25mm工藝生產(chǎn)NDRO FeRAM。NDRO FeRAM是基于Symetrix稱為Trinion單元的新型技術(shù),，但是該公司沒有披露具體的細(xì)節(jié),。
FeRAM已成為存儲器家族中最有發(fā)展?jié)摿Φ男鲁蓡T之一。然而,，F(xiàn)eRAM的批*者指出,，當(dāng)達(dá)到某個數(shù)量的讀周期之后FeRAM單元將失去耐久性，而且由陣列尺寸限制帶來的FeRAM成品率問題以及進(jìn)一步提高存儲密度和可靠性等問題仍然亟待解決,。
磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)
從原理上講,，MRAM的設(shè)計是非常誘人的，它通過控制鐵磁體中的電子旋轉(zhuǎn)方向來達(dá)到改變讀取電流大小的目的,，從而使其具備二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲能力,。理論上來說，鐵磁體是永久不會失效的,，因此它的寫入次數(shù)也是無限的,。在MRAM發(fā)展初期所使用的磁阻元件是被稱為巨磁阻(GMR)的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)由上下兩層磁性材料,，中間夾著一層非磁性材料的金屬層所組成,。由于GMR元件需較大電流成為無法突破的難點(diǎn)，因此無法達(dá)到高密度存儲器的要求。與GMR不同的另一種結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié) (MTJ),，如圖1所示,。MTJ與GMR元件的最大差異是隔開兩層磁性材料的是絕緣層而非金屬層。MTJ元件是由磁場調(diào)制上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行來建立兩個穩(wěn)定狀態(tài),，在反平行狀態(tài)時通過此元件的電子會受到比較大的干擾,，因此反映出較高的阻值;而在平行狀態(tài)時電子受到的干擾較小得到相對低的阻值。MTJ元件通過內(nèi)部金屬導(dǎo)線所產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度來改變不同的阻值狀態(tài),，并以此記錄“0”與“1”的信號,。
圖1 MTJ元件結(jié)構(gòu)示意圖
MRAM當(dāng)前面臨的主要技術(shù)挑戰(zhàn)就是磁致電阻太過微弱，兩個狀態(tài)之間的電阻只有30%~40%的差異,，讀寫過程要識別出這種差異的話,，還有一定的難度。不過,，NVE公司于2003年11月宣布,，其工程師研制成功迄今為止最高的自旋穿隧結(jié)磁阻(SDT)。該公司采用獨(dú)特材料,，室溫下在兩個穩(wěn)定狀態(tài)之間使穿隧磁阻變化超過70%,。NVE已向包括Motorola公司在內(nèi)的幾家致力商用化MRAM的公司授權(quán)使用其MRAM知識產(chǎn)權(quán)。
IBM,、Motorola和Infineon等公司的MRAM樣品已紛紛出爐,，預(yù)計2004-2005年MRAM的商用產(chǎn)品將陸續(xù)面市。2002年6月Motorola公司演示了第一片1Mb的MRAM芯片,，據(jù)悉2003年10月該公司向其他公司推出了采用0.18mm工藝的4Mb MRAM樣片,。Toshiba和NEC公司的聯(lián)合研究小組計劃采用0.25mm磁性隧道結(jié)與0.18mm工藝相結(jié)合的方式，希望在2005年實現(xiàn)256Mb MRAM的量產(chǎn),。Infineon和IBM公司也在2003年6月聯(lián)合宣布,，他們開發(fā)出的高速128Kb MRAM采用0.18mm工藝制作，為目前業(yè)界工藝尺寸最小的MRAM產(chǎn)品,，有望從2005年開始逐步取代現(xiàn)有的存儲器,，并獲得廣泛應(yīng)用。
相變存儲器(OUM)
奧弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文,，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué),。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體,，再變回非晶體的過程中,，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來存儲數(shù)據(jù),。后來,，人們將這一學(xué)說稱為奧弗辛斯基電子效應(yīng)。相變存儲器是基于奧弗辛斯基效應(yīng)的元件，因此被命名為奧弗辛斯基電效應(yīng)統(tǒng)一存儲器(OUM),，如圖2所示,。從理論上來說，OUM的優(yōu)點(diǎn)在于產(chǎn)品體積較小,、成本低,、可直接寫入(即在寫入資料時不需要將原有資料抹除)和制造簡單，只需在現(xiàn)有的CMOS工藝上增加2~4次掩膜工序就能制造出來,。
圖2 OUM存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖
OUM是世界頭號半導(dǎo)體芯片廠商Intel公司推崇的下一代非易失性,、大容量存儲技術(shù)。Intel和該項技術(shù)的發(fā)明廠商Ovonyx 公司一起,，正在進(jìn)行技術(shù)完善和可制造性方面的研發(fā)工作,。Intel公司在2001年7月就發(fā)布了0.18mm工藝的4Mb OUM測試芯片，該技術(shù)通過在一種硫化物上生成高低兩種不同的阻抗來存儲數(shù)據(jù),。2003年VLSI會議上,，Samsung公司也報道研制成功以Ge2Sb2Te5(GST)為存儲介質(zhì)，采用0.25mm工藝制備的小容量OUM,，工作電壓在1.1V,，進(jìn)行了1.8x109 讀寫循環(huán)，在1.58x109循環(huán)后沒有出現(xiàn)疲勞現(xiàn)象,。
不過OUM的讀寫速度和次數(shù)不如FeRAM和MRAM,，同時如何穩(wěn)定維持其驅(qū)動溫度也是一個技術(shù)難題。2003年7月,，Intel負(fù)責(zé)非易失性存儲器等技術(shù)開發(fā)的S.K.Lai還指出OUM的另一個問題：OUM的存儲單元雖小,，但需要的外圍電路面積較大，因此芯片面積反而是OUM的一個頭疼問題,。同時從目前來看，OUM的生產(chǎn)成本比Intel預(yù)想的要高得多,，也成為阻礙其發(fā)展的瓶頸之一,。
結(jié) 語
FeRAM、MRAM和OUM這三種存儲器與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲器相比有許多突出的優(yōu)點(diǎn),，其應(yīng)用前景十分誘人,。近年來，人們對它們的研究己取得了可喜的進(jìn)展,，尤其是FeRAM己實現(xiàn)了初步的商業(yè)應(yīng)用,。但它們要在實際應(yīng)用上取得進(jìn)一步重大突破，還有大量的研究工作要做,。同時存儲技術(shù)的發(fā)展是沒有止境的,，但是追求更高密度、更大帶寬、更低功耗,、更短延遲時間,、更低成本和更高可靠性的目標(biāo)永遠(yuǎn)不會改變。