意法半導(dǎo)體（ST）最新MDmesh V功率MOSFET技術(shù),，在650V額定電壓下取得最佳單位面積導(dǎo)通電阻,、能效和功率密度
2009-02-20
作者：意法半導(dǎo)體
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功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻,。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝,，使能效和功率都達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平,。這些產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。?
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“MDmesh V產(chǎn)品在RDS(ON)上的改進(jìn)將會(huì)大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗,，從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低,、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品，”意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示,，“這項(xiàng)新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn),，例如，新節(jié)能設(shè)計(jì)法規(guī)的能效目標(biāo),，同時(shí)再生能源市場(chǎng)也是此項(xiàng)技術(shù)的受益者,，因?yàn)樗梢怨?jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能?！?/SPAN>?
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作為意法半導(dǎo)體在成功的多漏網(wǎng)格技術(shù)上的最新進(jìn)步,，通過(guò)改進(jìn)晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，降低漏--源電壓降,，MDmesh V在單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) 上表現(xiàn)異常出色,。此項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)可降低這款產(chǎn)品的通態(tài)損耗，同時(shí)還能使柵電荷量(Qg)保持很低,，在高速開(kāi)關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的能效,，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值（FOM）。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競(jìng)爭(zhēng)品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓,，為設(shè)計(jì)工程師提供寶貴的安全裕量,。意法半導(dǎo)體的MDmesh V MOSFET的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)是，關(guān)斷波形更加平滑,，柵極控制更加容易,，并且由于EMI降低，濾波設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)單,。?
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MDmesh V MOSFET的節(jié)能優(yōu)勢(shì)和高功率密度將會(huì)給終端用戶產(chǎn)品的節(jié)能帶來(lái)實(shí)質(zhì)性提升,，例如：筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器,、電視機(jī),、熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設(shè)備,、太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換器以及其它的需要高壓功率因數(shù)校正或開(kāi)關(guān)功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用設(shè)備,。?
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詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.st.com/pmos.?
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關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）?
意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開(kāi)發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級(jí)主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合,，雄厚的制造實(shí)力,，廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位,。在今天實(shí)現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢(shì)中，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品扮演了一個(gè)重要的角色,。2008年,，公司凈收入98.4億美元，公司股票分別在紐約股票交易所,、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導(dǎo)體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn?