賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度,、能效和板級可靠性。為實(shí)現(xiàn)設(shè)計目標(biāo),，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導(dǎo)通電阻,，工作溫度可達(dá)+175 °C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK? 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結(jié)構(gòu)消除機(jī)械應(yīng)力,，有助于提高板級可靠性,。

SiJH600E和SiJH800E超低導(dǎo)通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導(dǎo)功耗,，實(shí)現(xiàn)節(jié)能的效果,。

為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A,，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %,，高度降低57 %。為節(jié)省電路板空間,，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件,。

器件規(guī)格表：

該Vishay Siliconix器件工作溫度可達(dá)+175 °C，性能穩(wěn)定可靠，適用于電源,、電機(jī)驅(qū)動控制,、電池管理和電動工具等應(yīng)用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝,、無鹵素,、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試,。

封裝對比表:

SiJH600E和SiJH800E現(xiàn)可提供樣品,。產(chǎn)品供貨周期和數(shù)量的相關(guān)信息，請與Vishay或我們的經(jīng)銷商聯(lián)系,。