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如何準確的測量開關損耗

2019-06-26

摘要:一個高質(zhì)量的開關電源效率高達95%,,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),,所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的,。那我們該如何準確測量開關損耗呢?

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  一,、開關損耗
  由于開關管是非理想型器件,,其工作過程可劃分為四種狀態(tài),如圖1所示,?!皩顟B(tài)”表示開關管處于導通狀態(tài);“關閉狀態(tài)”表示開關管處于關閉狀態(tài),;“導通過程”是指開關管從關閉轉換成導通狀態(tài),;“關閉過程”指開關管從導通轉換成關閉狀態(tài)。一般來說,,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”,,小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”,而“關閉狀態(tài)”的損耗很小幾乎為0,,可以忽略不計,。

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                                        圖1  開關管四種狀態(tài)劃分
  實際的測量波形圖一般如圖2示,。

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                         圖2  開關管實際功率損耗測試
  二,、導通過程損耗
  晶體管開關電路在轉換過程中消耗的能量通常會很大,因為電路寄生信號會阻止設備立即開關,,該狀態(tài)的電壓電流處于交變的狀態(tài),,因此很難直接計算功耗,以往的做法,,將電壓與電流認為是線性的,,這樣可以通過求三角形的面積來粗略計算損耗,但這是不夠準確的,。對于數(shù)字示波器來說,,通過都會提供高級數(shù)學運算功能,因此可以使用下面的公式計算導通過程的損耗,。
  Eon表示導通過程的損耗能量
  Pon表示導通過程的平均損耗功率(有功功率)
  Vds,、Id分別表示瞬時電壓和電流
  Ts表示開關周期
  t0、t1表示導通過程的開始時間與結束時間
  關閉過程損耗
  關閉過程損耗與導通過程損耗計算方法相同,,區(qū)別是積分的開始與結束時間不同,。
  Eoff表示關閉過程的損耗能量
  Poff表示關閉過程的平均損耗功率(有功功率)
  Vds、Id分別表示瞬時電壓和電流
  Ts表示開關周期
  t2,、t3表示關閉過程的開始時間與結束時間
  三,、導通損耗
  導通狀態(tài)下,開關管通常會流過很大的電流,,但開關管的導通電阻很小,,通常是毫歐級別,所以導通狀態(tài)下?lián)p耗能量相對來說是比較少的,,但亦不能忽略,。使用示波器測量導通損耗,,不建議使用電壓乘電流的積分的來計算,因為示波器無法準確測量導通時微小電壓,。舉個例子,,開關管通常關閉時電壓為500V,導通時為100mV,,假設示波器的精度為±1‰(這是個非常牛的指標),,最小測量精度為±500mV,要準確測量100mV是不可能的,,甚至有可能測出來的電壓是負的(100mV-500mV),。
  由于導通時的微小電壓,無法準確測量,,所以使用電壓乘電流的積分的方法計算的能量損耗誤差會很大,。相反,導通時電流是很大的,,所以能測量準確,,因此可以使用電流與導通電阻來計算損耗,如下面公式:
  Econd表示導通狀態(tài)的損耗能量
  Pcond表示導通狀態(tài)的平均損耗功率(有功功率)
  Id分別表示瞬時電流
  Rds(on)表示開關管的導通電阻,,在開關管會給出該指標,,如圖3所示
  Ts表示開關周期
  t1、t2表示導通狀態(tài)的開始時間與結束時間

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                                           圖3  導通電阻與電流的關系
  四,、開關損耗
  開關損耗指的是總體的能量損耗,,由導通過程損耗、關閉過程損耗,、導通損耗組成,,使用下面公式計算:
  五、開關損耗分析插件
  高端示波器通常亦集成了開關損耗分析插件,,由于導通狀態(tài)電壓測量不準確,,所以導通狀態(tài)的計算公式是可以修改的,主要有三種:
  ?UI,,U和I均為測量值
  ?I2R,,I為測量值,R為導通電阻,,由用戶輸入Rds(on)
  ?UceI,,I為測量值,Uce為用戶輸入的電壓值,,用于彌補電壓電壓測不準的問題,。
  一般建議使用I2R的公式,下圖是ZDS4000 Plus的開關損耗測試圖。

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                                        圖4  開關損耗測試結果圖
  六,、總結
  開關損耗測試對于器件評估非常關鍵,,通過專業(yè)的電源分析插件,可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估,,相對于手動分析來說,,更加簡單方便。對于MOSFET來說,,I2R的導通損耗計算公式是最好的選擇,。

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