《電子技術(shù)應(yīng)用》
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一種新型過流保護(hù)電路設(shè)計
摘要: 與多數(shù)以“中斷”模式實現(xiàn)保護(hù)不同,,文章提出了一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的過流保護(hù)電路設(shè)計新方案,,通過“屏蔽電路”屏蔽過流信號,使LDO 不因過流信號干擾而中斷運(yùn)行,。為了防止屏蔽時間內(nèi)的過大電流燒毀功率管,提供過大電流關(guān)斷電路,,當(dāng)屏蔽時間內(nèi)負(fù)載電流太大可能瞬間燒毀功率管時能及時關(guān)斷功率管,,保證功率管的安全。該電路的屏蔽時間可以根據(jù)需要設(shè)定,。CSMC 0.5 μm BiCMOS 工藝Cadence spectre 仿真結(jié)果表明,,改進(jìn)后的過流保護(hù)電路能有效屏蔽設(shè)定時間內(nèi)的過流信號,擴(kuò)大了正常工作區(qū)的范圍,保證了LDO 更高效安全地運(yùn)行,。
Abstract:
Key words :

  1 引言

  低壓差線性穩(wěn)壓器(Low-Dropout Vol t a geRegulator,,LDO)具有結(jié)構(gòu)簡單、低噪聲,、低功耗以及小封裝和較少的外圍應(yīng)用器件等突出優(yōu)點,,在便攜式電子產(chǎn)品(筆記本、數(shù)碼相機(jī)等)中得到廣泛應(yīng)用,。

  近年來,,關(guān)于LDO 的討論焦點幾乎都集中在提高LDO 系統(tǒng)性能上,比如穩(wěn)定性,、集成化設(shè)計和響應(yīng)速度,。文獻(xiàn)使用動態(tài)頻率補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計了一款任意負(fù)載范圍都穩(wěn)定的LDO;文獻(xiàn)[3]對誤差放大器通過內(nèi)部零極點補(bǔ)償使得LDO 在無需外接ESR 電容情況下就能保持穩(wěn)定,,實現(xiàn)SOC 應(yīng)用,;文獻(xiàn)在誤差放大器與功率管柵極之間通過連接一個單位增益緩沖器提高LDO 的響應(yīng)速度。在實際應(yīng)用中,,用來保護(hù)這些LDO 不被過高電流損壞的高性能過流保護(hù)電路同樣是穩(wěn)壓器性能的主要指標(biāo)之一,。

  近年來關(guān)于LDO 中過流保護(hù)電路的討論很少,有限的研究也只限于提高過流保護(hù)電路中感應(yīng)電流的精度以及對過流保護(hù)電路中輸出電路的改進(jìn)以減小過流時的功耗等,。但它們都是以“中斷”的模式工作,。文獻(xiàn)[9]從方便用戶的角度對過流保護(hù)電路進(jìn)行改進(jìn),提出了可供用戶自己選擇關(guān)閉系統(tǒng)或者讓系統(tǒng)繼續(xù)工作的思路,。該方案提供了一個過流檢測報警系統(tǒng),,由用戶決定系統(tǒng)是否繼續(xù)運(yùn)行,但瞬時的大過流信號仍可能瞬間擊穿或燒毀功率管,。

  為了讓系統(tǒng)更高效地運(yùn)行同時又能保證安全工作,,我們提出了一種新型過流保護(hù)電路的設(shè)計方案,通過屏蔽電路屏蔽其過流幅值和持續(xù)作用時間在設(shè)定范圍內(nèi)的過流信號,,自動保障系統(tǒng)繼續(xù)工作,;而僅當(dāng)過流信號的幅值和持續(xù)作用時間超過設(shè)定范圍時,系統(tǒng)才處于“中斷”狀態(tài),,從而能使LDO 更高效和安全地運(yùn)行,。

  2 “屏蔽”模式工作原理

  LDO 由誤差放大器EA、電壓基準(zhǔn)源,、功率管,、反饋環(huán)路、保護(hù)電路和負(fù)載電路構(gòu)成,?;倦娐啡与妷篤FB 加在誤差放大器EA 的同相輸入端,,與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Vre f 相比較,兩者的差值經(jīng)EA 放大后,,控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降,,從而穩(wěn)定輸出電壓。如果負(fù)載電流超過限制電流,,功率管將在持續(xù)大電流的作用下燒毀。電路在過流作用下的工作情況取決于功率管的承受能力,,以及過流幅值和持續(xù)作用時間,。

  傳統(tǒng)的過流保護(hù)電路由電流感應(yīng)電路、比較電路以及輸出級組成,,分為恒流式過流保護(hù)和折返式過流保護(hù),。傳統(tǒng)的過流保護(hù)電路采用的是“中斷”模式,對于任何過流情況,,只要負(fù)載電流大于限制電流,,都將使LDO 中斷運(yùn)行。

  當(dāng)負(fù)載電流超過限制電流ILIMIT 不太多且持續(xù)作用時間不太長時,,我們希望過流保護(hù)電路能保持LDO 不中斷工作,,因此需要采用“屏蔽”模式屏蔽掉部分可以讓LDO 不中斷運(yùn)行的過流信號,對于過流幅值和持續(xù)作用時間超過范圍的過流信號,,過流保護(hù)電路又能采取中斷LDO 工作的模式,。傳統(tǒng)的“中斷”模式電流保護(hù)電路工作狀態(tài)如圖1(a)所示,分為正常工作區(qū)Ⅰ和“中斷”區(qū)Ⅱ,,當(dāng)負(fù)載電流不超過ILIMIT 時,,LDO 工作在正常工作區(qū),當(dāng)負(fù)載電流超過ILIMIT 時LDO 進(jìn)入“中斷”區(qū),。加入“屏蔽”模式后的過流保護(hù)電路工作狀態(tài)如圖1(b),,分為正常工作區(qū)Ⅲ、屏蔽區(qū)Ⅳ以及中斷區(qū)Ⅴ,,當(dāng)負(fù)載電流小于ILIMIT 時,,LDO 處于正常工作區(qū),當(dāng)過流信號的幅值在ILIMIT 和最大幅值電流IMAX 之間,,持續(xù)作用時間在t=tMAX 之內(nèi)即同時滿足ILIMIT ≤ ILOAD ≤ IMAX,,t ≤tMAX 時,LDO 進(jìn)入屏蔽區(qū),,這個范圍之外的過流信號將進(jìn)入中斷區(qū),。對比圖1(a)和(b)可以看出,改進(jìn)過流保護(hù)電路后的LDO 的正常工作區(qū)包括圖1(b)的正常工作區(qū)Ⅲ和“屏蔽”區(qū)Ⅳ,,增大了工作區(qū)的范圍,,提高了LDO 的工作效率,。

 過流保護(hù)原理圖
 

圖1 過流保護(hù)原理圖

  包含過流保護(hù)電路的LDO整體框圖如圖2所示,虛線左邊是LDO 主體電路,,包括誤差放大器,、功率管、負(fù)載電阻以及分壓電阻,。虛線右邊部分為電流保護(hù)電路,,主要作用是感應(yīng)并檢測負(fù)載電流是否超過限制電流,然后通過控制功率管來決定是否使LDO 中斷運(yùn)行,,包括電流感應(yīng)電路和控制電路,。傳統(tǒng)的過流保護(hù)電路只采用圖2 中實框Ⅱ所示的“中斷”模式(不包括虛框),對于任何負(fù)載過流情況,,不論持續(xù)作用時間如何,,都使LDO 中斷工作;本文在傳統(tǒng)的“中斷”模式基礎(chǔ)上,,增加了“屏蔽”模式(如圖2 中虛框Ⅰ),,能有效屏蔽希望LDO不中斷工作的過流信號,使LDO更高效運(yùn)行,,同時保留“中斷”模式,,保證LDO 安全工作。

帶過流保護(hù)電路的 LDO 框圖
 

圖2 帶過流保護(hù)電路的 LDO 框圖

  3 “屏蔽”模式電路實現(xiàn)

  圖3 是改進(jìn)前后的過流保護(hù)電路圖,。不加虛框部分是傳統(tǒng)的“中斷”模式過流保護(hù)電路,,由電流感應(yīng)電路、比較電路以及輸出級電路組成,。電流感應(yīng)電路采樣功率管電流,。采樣得到的電流和限制電流ILIMIT 分別轉(zhuǎn)化為比較器的兩輸入端電壓VSENSE 和VLIMIT 并進(jìn)行比較,得到VCO,。VCO作用于輸出級電路以控制功率管柵極電壓,。如果負(fù)載過流,過流保護(hù)電路使得功率管柵極電壓PG 為高電平,,強(qiáng)行使LDO中斷,。

改進(jìn)后的電流保護(hù)電路圖
 

 圖3 改進(jìn)后的電流保護(hù)電路圖

  如果我們在電路中加入圖3 虛框A 區(qū)所示的電路結(jié)構(gòu),電路將變?yōu)?ldquo;屏蔽”模式電流保護(hù),。屏蔽電路由延時電路,、或非門構(gòu)成。比較器甲輸出的信號VB1 經(jīng)過延時后得到VB2,,VB1 和VB2 進(jìn)行或非運(yùn)算再經(jīng)過一次反向后得到屏蔽電路的輸出信號VBOUT,。

  由于邏輯或運(yùn)算只能使同時為1 的兩個信號保持不變,因此,,可以通過或非門和反相器消除掉延遲時間內(nèi)的脈沖信號,。在過流保護(hù)電路中增加屏蔽電路,,則可屏蔽掉延遲時間內(nèi)的過流信號,但如果負(fù)載電流太大,,可能瞬間燒毀功率管,,因此需要相應(yīng)的關(guān)斷電路。當(dāng)負(fù)載電流超過最大限制電流IMAX 時,,過流保護(hù)電路能不經(jīng)過延遲直接關(guān)斷LDO,。

  圖3 虛框B 區(qū)電路能解決屏蔽時間內(nèi)大電流可能導(dǎo)致功率管瞬間燒毀的問題,當(dāng)延遲時間內(nèi)出現(xiàn)很大過流信號時,,能及時關(guān)斷功率管,,保證系統(tǒng)安全。關(guān)斷電路由比較器乙和NMOS 開關(guān)管M1 組成,。

  當(dāng)過流信號超過最大限制電流I MAX(此時VSE NSE>

  VMAX)時,比較器乙輸出VCOUT 為高電平導(dǎo)致開關(guān)管M1 導(dǎo)通,,使得VCO 強(qiáng)行為低電平而不受屏蔽電路影響并同步關(guān)斷LDO,,保證功率管安全。當(dāng)過流電流不是太大時,,比較器輸出電壓VCOUT 為低,,開關(guān)管M1 不導(dǎo)通,不影響屏蔽電路工作,。

  圖3 所示的改進(jìn)電流保護(hù)電路能夠?qū)崿F(xiàn)圖1(b)所期望的“屏蔽”區(qū)工作模式,。負(fù)載電流過流最大持續(xù)作用時間tMAX 和最大過流幅值IMAX 即為“屏蔽”區(qū)的時間和幅值邊界。實際應(yīng)用中,,功率管能承受的熱功耗和擊穿電流是有限的,。最大持續(xù)作用時間tMAX 由功率管能承受的熱功耗和散熱性能決定,而功率管的最大擊穿電流確定了過流的最大幅值IMAX,。

  對于特定的應(yīng)用需要,,通過設(shè)定合理的屏蔽時間與最大過流幅值,能使LDO 更高效地運(yùn)行,。

  “屏蔽”模式的邏輯關(guān)系如圖4 所示,,其中VB1和VCOUT 分別為比較器甲和乙的輸出信號,VB1 經(jīng)過一個延遲時間后輸出信號為VB2,,屏蔽電路輸出電壓為VBOUT,,VCO為屏蔽電路的輸出端。VB1,、VB2和VBOUT的波形反應(yīng)了屏蔽電路的邏輯關(guān)系,,只有當(dāng)VB1 和VB2 同時為高電平,VBOUT 才為低電平,,否則VBOUT 一直為高電平,,因此屏蔽電路屏蔽了延遲時間內(nèi)的脈沖信號,,保持寬脈沖信號;VCOUT為使能端,,只要VCOUT為高電平,,VCO 立即變?yōu)榈碗娖健?/p>

“屏蔽”電路邏輯關(guān)系圖
 

圖4 “屏蔽”電路邏輯關(guān)系圖

  4 電路仿真結(jié)果

  將上述設(shè)計原理應(yīng)用于輸入電壓為5V、輸出電壓3.3V,、最大輸出電流500mA,、限制電流ILIMIT 800mA的LDO,使用CSMC 0.5 μm BiCMOS 工藝Cadencespectre 仿真工具,,分別對改進(jìn)前后的過流保護(hù)電路進(jìn)行仿真,。根據(jù)功率管特定的需要,設(shè)定延時電路延遲時間tMAX 為20 μ s,,最大幅值電流IMAX 為3A,。

  圖5 中(a)曲線表示負(fù)載電流幅值和作用時間的關(guān)系,ILIMIT 和IMAX 分別為限制電流和最大幅值電流,。圖5 中(b),、(c)和(d)曲線分別為采用傳統(tǒng)“中斷”模式、“屏蔽”模式以及“屏蔽+ 中斷”模式過流保護(hù)電路后LDO 的輸出電壓波形,。

  圖5(b)表示“中斷”模式在所有過流情況時都會關(guān)斷LDO,。圖5(c)的“屏蔽”模式能屏蔽tMAX內(nèi)的過流信號,但同時也屏蔽了過流幅值超過IMAX的電流信號,,只有在過流持續(xù)作用時間大于tMAX 時,,LDO 才被關(guān)斷。圖5(d)的“屏蔽+ 中斷”模式下,,電路只在過流信號持續(xù)作用時間小于tMAX 而且幅值不超過IMAX 時屏蔽掉過流信號,,對于其他超過ILIMIT的過流信號,都將中斷LDO 運(yùn)行,。通過比較圖5 的(b),、(c)和(d)曲線可以得到,相對于圖5(b)的“中斷”模式,,圖5(d)的“屏蔽+ 中斷”模式擴(kuò)大了工作區(qū)范圍,,又比圖5(c)的“屏蔽”模式保護(hù)電路更安全。傳統(tǒng)屏蔽電路都會在過流之后關(guān)斷LDO,,我們希望在某些短時且小幅度過流信號下LDO 仍能正常運(yùn)行,。結(jié)果表明,設(shè)計后的過流保護(hù)電路能達(dá)到預(yù)期效果,,保證系統(tǒng)更高效安全地運(yùn)行,。

LDO 整體電路的瞬態(tài)響應(yīng)
 

圖5 LDO 整體電路的瞬態(tài)響應(yīng)

  5 結(jié)論

  在傳統(tǒng)的只采取“中斷”模式的過流保護(hù)電路基礎(chǔ)上,本文提出了一種新型過流保護(hù)電路設(shè)計方案,,通過增加“屏蔽”模式,,能有效屏蔽在設(shè)定最大過流幅值IMAX 和最大持續(xù)作用時間tMAX 內(nèi)的過流信號,,而不影響其他過流情況的關(guān)斷。通過CSMC0.5μm BiCMOS工藝,、Cadence spectre仿真,,結(jié)果表明,改進(jìn)后的過流保護(hù)電路能有效屏蔽過流幅值和持續(xù)作用時間在設(shè)定范圍內(nèi)的過流信號,,增加了正常工作區(qū)的范圍,,使LDO更高效運(yùn)行,同時保留“中斷”模式,,保證LDO 安全工作,。



 

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