《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay Siliconix首創(chuàng)將高、低MOSFET集成在同一封裝,,大幅節(jié)省占位空間并降低設(shè)計(jì)難度

節(jié)省空間的器件在10V電壓下的導(dǎo)通電阻低至5.8 mΩ,在+70℃下的最大電流達(dá)13.9A
2009-06-25
作者:Vishay Intertech

日前,,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,,推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間,。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝,,在一個(gè)緊湊的器件內(nèi)同時(shí)提供了低邊和高邊MOSFET,同時(shí)保持了低導(dǎo)通電阻和高最大電流的特性,,比使用兩個(gè)分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間,。PowerPAIR的厚度為0.75 mm,比厚度為1.04mmPowerPAK 1212-8PowerPAK SO-8封裝薄了28%,。?

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PowerPAIR型封裝出現(xiàn)之前,,工程師在設(shè)計(jì)用于筆記本電腦、VRM,、電源模塊,、圖形卡、服務(wù)器,、游戲機(jī)的系統(tǒng)電源,、POL、低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器,以及工業(yè)系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí),,只能使用兩個(gè)獨(dú)立的器件來(lái)達(dá)到降低導(dǎo)通電阻和提高電流的目的,。?

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例如,,常規(guī)雙MOSFETPowerPAK 1212-8的導(dǎo)通電阻大約是30mΩ,,最大電流不到10A,因此不是可行的方案,。單MOSFETPowerPAK 1212-8的導(dǎo)通電阻降至5mΩ左右,。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類(lèi)似的導(dǎo)通電阻,在10V4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ,,在+25和+70溫度下的最大電流分別為17.3A13.9A,。除此以外,高邊溝道的MOSFET10V4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ,,在+25和+70溫度下的最大電流分別為13.1A10.5A,。這些指標(biāo)令設(shè)計(jì)者能夠用一個(gè)器件替代原先的兩個(gè)器件,節(jié)省成本和空間,,包括兩個(gè)分立MOSFET間的空隙和標(biāo)識(shí)面積,。在一些更低電流和更低電壓的應(yīng)用中,甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個(gè)SO-8封裝的MOSFET,,至少能夠節(jié)省三分之二的空間,。?

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由于兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了,電路板的布局會(huì)更加簡(jiǎn)單,,PCB走線的寄生電感也減小了,,提高了系統(tǒng)效率。此外,,SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化,,這樣在一個(gè)典型的降壓轉(zhuǎn)換器上,輸入引腳被安排在一側(cè),,輸出引腳是在另外一側(cè),,進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路板布局。?

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器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,。?

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性能規(guī)格表:?

通道?

VDS?

VGS?

RDS(ON) @ ?

10 V?

RDS(ON) @ ?

4.5 V?

Qg (typ)?

ID @? TA = 25 °C?

ID @? TA = ?

70 °C?

1 ?

20 V?

± 16 V?

8.6 m??

10.8 m??

9.5 nC?

13.1 A?

10.5 A?

2 ?

20 V?

± 16 V?

5.8 m??

6.6 m??

27 nC?

17.3 A?

13.9 A?

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SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,,將在5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周,。?

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VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介?

Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī),、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)和汽車(chē)系統(tǒng)的固態(tài)開(kāi)關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝(TrenchFET)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT),。?

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創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計(jì)用來(lái)在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),,以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET,,MICRO FOOT)新的封裝選擇,。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路,。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專(zhuān)注于應(yīng)用在蜂窩電話,、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,,而且也同樣關(guān)注低電壓,、約束空間的新型模擬開(kāi)關(guān)集成電路。?

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Siliconix創(chuàng)建于1962年,,在1998Vishay購(gòu)買(mǎi)了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司,。?

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VISHAY簡(jiǎn)介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管,、整流器,、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無(wú)源電子元件(電阻器,、電容器,、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,,這些元件可用于工業(yè),、計(jì)算、汽車(chē),、消費(fèi),、電信、軍事,、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,,以及提供一站式服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com,。?

PowerPAIR Siliconix Incorporated的商標(biāo),,TrenchFETPowerPAK Siliconix Incorporated 的注冊(cè)商標(biāo)。?

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