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瑞薩宣布開發(fā)出在單芯片中集成電源轉換電路的低損耗碳化硅(SiC)功率器件

有助于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)提高電源效率
2012-02-08

 

      日本東京訊——全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,,以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,,該器件采用了碳化硅材料(SiC)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力,。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng),。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術,,有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比,,其功耗大約降低了40%,。

      最近,為了促進環(huán)境保護,,很多客戶對高效能電源電路的需求日益增長,。空調,、通信基站,、PC服務器和太陽能陣列等使用電源轉換電路或逆變電路的產品,對更高效的電源轉換有著特別強勁的需求,。因此,,這些電源轉換電路中所用的二極管需要提供更快的轉換速度,,并可以低壓工作。于是,,瑞薩開發(fā)了這款全新SiC SBD來滿足上述需求,。

RJS6005TDPP的主要特性:

  • 更快的轉換速度,其損耗較之現(xiàn)有產品降低了40%

全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢復時間(注2)為15納秒(標準值:測量條件IF = 15 A,,di/dt = 300 A/µs),,與現(xiàn)有瑞薩硅電子產品相比,其速度快了大約40%,。這可以實現(xiàn)更快的轉換速度,,與瑞薩硅基產品相比降低了大約40%的功耗。

此外,,當溫度升高時,,反向恢復時間不會降低,從而在高溫環(huán)境下工作時可實現(xiàn)始終如一的低轉換損耗,。

  • (2) 低壓工作

這款全新SiC-SBD的額定電壓(正向降壓,,VF)僅1.5伏(V),低于現(xiàn)有的硅快速觸發(fā)二極管產品的額定電壓,。此外,,該SiC-SBD的溫度依賴性較小,可確保獲得穩(wěn)定的正向電壓——即使在高溫條件下,。這意味著可使用更緊湊的散熱設計,,以降低成本,并減小產品體積,。

    這款全新RJS6005TDPP SiC-SBD應用相當于工業(yè)標準的TO-220封裝,,并可實現(xiàn)引腳兼容。這意味著RJS6005TDPP SiC SBD可輕松地用于替代現(xiàn)有印刷電路板上傳統(tǒng)的硅二極管,。

    瑞薩電子全新功率器件的產品陣容頗為強大,,電流從3A至30 A不等,額定峰值電壓為600 V,,這些功率器件專用于滿足空調,、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)對高效能的需求,同時,,計劃推出額定峰值電壓為1200 V的產品系列,。瑞薩努力為客戶提供結合MCU和模擬及功率器件的整體解決方案,矢志成為領先的功率器件供應商,。瑞薩計劃增強套件解決方案和復合半導體器件,,以全新高壓SiC-SBD功率器件為核心,并輔以外圍電源控制IC、高性能IGBT,、高壓超結MOSFET和光電耦合器,。

全新RJS6005TDPP SiC SBD的規(guī)格見附件。

定價與供貨

瑞薩全新RJS6005TDPP SiC SBD的樣品現(xiàn)已上市,,單價為5美元,。瑞薩計劃在2012年3月開始批量生產,預計在2012年8月的月產量達到10萬件,。(定價和供貨信息若有變更,,恕不另行通知。)

  • (注1)碳化硅(SiC):
    這種材料在熱導率,、允許的工作溫度,、輻射暴露及絕緣擊穿場強等特性上優(yōu)于硅,具有用于低損耗功率器件的巨大潛力,。
  • (注2)反向恢復時間:
    當二極管在規(guī)定的正向電流已流過后從導通狀態(tài)轉換至關閉狀態(tài),,由于在結中積累了少量載流子,,因而將存在反向電流,。反向恢復時間表示在切換至關閉狀態(tài)后恢復到規(guī)定電流值所需的時間。

【附件】

RJS6005TDPP SiC SBD的產品規(guī)格

1. RJS6005TDPP的規(guī)格

  • 反向峰值電壓(VRM):600 V
  • 平均整流電流(Io):15 A
  • 正向壓降(VF):1.5 V
  • 反向恢復時間(trr):標準15 ns(ID = 10 A,,VGSS = 10 V)
  • 額定通道溫度(Tch):+150 ℃
  • 封裝:TO-220,,全封

2. 參考圖:正向電壓的溫度依賴性

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