羅姆開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最小的低VF SiC肖特基勢壘二極管
2012-06-07
來源:來源:羅姆株式會社
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部位于日本京都)面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器,、工業(yè)設(shè)備,、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路,開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓(VF=1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM”(600V/10A),。
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,正向電壓降低了10%,非常有助于各種設(shè)備實現(xiàn)更低功耗,。生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),從6月份開始出售樣品 (樣品價格500日元/個)并陸續(xù)量產(chǎn),。
※根據(jù)羅姆的調(diào)查(截至2012年6月7日)
近年來,,在工業(yè)設(shè)備、太陽能電池,、電動車以及鐵路等電力電子技術(shù)領(lǐng)域,,與Si元件相比,電力轉(zhuǎn)換時損耗少,、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應(yīng)用備受期待,。羅姆于2010年成功實現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn),于2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產(chǎn)等等,,產(chǎn)品開發(fā)在行業(yè)中遙遙領(lǐng)先,。
如今,,SiC-SBD已經(jīng)逐漸在世界范圍內(nèi)廣泛量產(chǎn),但形成通態(tài)損耗的正向電壓長期維持在1.5V的狀態(tài),,市場上為了追求更低損耗,,要求降低正向電壓。
通常,,正向電壓降低反向漏電流就會增加,,羅姆通過改善工藝和元件構(gòu)造,在確保極低漏電流的基礎(chǔ)上成功降低了正向電壓,。特別是正向上升電壓較低,,有望改善一般使用頻率較高的低負(fù)載狀態(tài)下的效率。
新系列首先從600V-10A的產(chǎn)品開始量產(chǎn),,今后將逐步擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,。計劃在數(shù)月內(nèi)開始1200V產(chǎn)品的量產(chǎn)。
本產(chǎn)品將在6月19~21日在上海世博展覽館舉行的電力電子,、智能運(yùn)動,、可再生能源與能源管理等最新技術(shù)的專業(yè)展會“PCIM-ASIA 2012”上展出,歡迎屆時蒞臨參觀,。
<特點>
- 高速開關(guān),,低VF,與傳統(tǒng)的Si產(chǎn)品相比,,損耗顯著降低
不僅實現(xiàn)了只有SiC才能實現(xiàn)的高速開關(guān),,而且正向電壓更低,與傳統(tǒng)的Si材質(zhì)快速恢復(fù)二極管相比,,損耗顯著降低,。
<規(guī)格>