中微的TSV刻蝕設(shè)備和同類(lèi)產(chǎn)品相比有相當(dāng)多的優(yōu)點(diǎn),，在各種TSV刻蝕應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這些優(yōu)點(diǎn)包括：雙反應(yīng)臺(tái)的設(shè)計(jì)有效提高了產(chǎn)出率,；獨(dú)特設(shè)計(jì)的預(yù)熱腔室保證了機(jī)臺(tái)運(yùn)行的高可靠性和高效能,；獨(dú)特的氣體分布系統(tǒng)設(shè)計(jì)大大提高了刻蝕均勻性和刻蝕速率,。這些特點(diǎn)使中微TSV刻蝕設(shè)備的單位投資產(chǎn)出率比市場(chǎng)上其他同類(lèi)設(shè)備提高了30%。

中微此次推出的TSV刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)標(biāo)志著公司在發(fā)展歷程中又邁出了新的一步,，使中微的設(shè)備進(jìn)入了這一快速發(fā)展的市場(chǎng)前沿,。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement*預(yù)測(cè)，三維芯片及晶圓級(jí)封裝設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模今年將達(dá)到7.88億美元,，2016年將攀升至24億美元,。TSV刻蝕設(shè)備將占據(jù)市場(chǎng)份額的一大部分，而其中的強(qiáng)勁需求多來(lái)自于中國(guó)企業(yè),。

中微開(kāi)發(fā)TSV刻蝕設(shè)備恰恰滿(mǎn)足了這樣的需求,。CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管,、微機(jī)電系統(tǒng)以及其他許多裝置都離不開(kāi)微小的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）,，而3D IC技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)芯片的必要條件。隨著半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸日益縮小,，采用新的堆疊處理方法勢(shì)在必行,。先進(jìn)芯片變得日益復(fù)雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡,。通過(guò)芯片的堆疊,，連接線(xiàn)比傳統(tǒng)的鍵合線(xiàn)更短，這就提高了封裝密度,，加快了數(shù)據(jù)傳輸和處理速度,，并降低了能耗,，所有這些在更小的單元中就可以實(shí)現(xiàn),。

江陰長(zhǎng)電賴(lài)志明總經(jīng)理表示：“3D IC封裝是江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝的發(fā)展方向，技術(shù)關(guān)鍵是TSV工藝集成,。中微的TSV刻蝕設(shè)備體現(xiàn)了出色的工藝性能,，很好地支持了江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，并能始終保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。我們很高興能與中微合作,。”

昆山西鈦的周浩總經(jīng)理說(shuō)道：“中微是昆山西鈦在先進(jìn)封裝生產(chǎn)中的一個(gè)重要合作伙伴，昆山西鈦很愿意和這樣一個(gè)鄰近的半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備供應(yīng)商合作,，來(lái)支持我們?cè)赥SV技術(shù)方面的需求,。中微的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備經(jīng)過(guò)不斷的改進(jìn)，現(xiàn)有設(shè)備已證明有很好的工藝性能,、高產(chǎn)出率和低生產(chǎn)成本,，這些都為確保我們產(chǎn)品的高質(zhì)量奠定了重要基礎(chǔ)。”

“對(duì)于我們TSV刻蝕設(shè)備的客戶(hù)來(lái)說(shuō),，提高生產(chǎn)率和單位投資產(chǎn)出率無(wú)疑是極其必要的,。”中微副總裁倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道,，“客戶(hù)的產(chǎn)品線(xiàn)在不斷演變，這就意味著他們需要這樣一種設(shè)備 -- 可以靈活,、最大范圍地刻蝕加工各種產(chǎn)品,。而客戶(hù)采用了Primo TSV200E(TM)就能以更快的速度加工晶圓片，同時(shí)保證高可靠性和低成本,。我們很高興中微首批TSV刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入了像昆山西鈦微電子和江陰長(zhǎng)電這樣的創(chuàng)新型企業(yè),。”

Primo TSV200E(TM)的核心在于它擁有雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)器，既可以單獨(dú)加工單個(gè)晶圓片,，又可以同時(shí)加工兩個(gè)晶圓片,。中微的這一TSV刻蝕設(shè)備可安裝多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)器。與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品僅有單個(gè)反應(yīng)臺(tái)的設(shè)備相比,，中微TSV刻蝕設(shè)備的這一特點(diǎn)使晶圓片產(chǎn)出量近乎翻了一番,，同時(shí)又降低了加工成本。此外,，該設(shè)備具有的去耦合高密度等離子體源和偏置電壓使它在低壓狀態(tài)下提高了刻蝕速率,，并能夠在整個(gè)工藝窗口中實(shí)現(xiàn)更高的靈活度。中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氣體分布系統(tǒng)設(shè)計(jì)也提高了刻蝕速率和刻蝕的均勻性,，并在整個(gè)加工過(guò)程中優(yōu)化了工藝性能,，射頻脈沖偏置則有效減少了輪廓凹槽。

中微8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備現(xiàn)已面市,，12英寸的硅通孔刻蝕設(shè)備也正在研發(fā)中,。欲了解更多關(guān)于設(shè)備的詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) http://amec-inc.com/products/TSV.php?lang=zh_CN,。